[发明专利]一种薄膜晶体管、阵列基板和显示装置有效
申请号: | 201410334219.5 | 申请日: | 2014-07-14 |
公开(公告)号: | CN104167446B | 公开(公告)日: | 2017-09-29 |
发明(设计)人: | 王美丽;辛龙宝 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L29/786 | 分类号: | H01L29/786;H01L27/12 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司11112 | 代理人: | 彭瑞欣,陈源 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明提供一种薄膜晶体管、阵列基板和显示装置。该薄膜晶体管包括栅极、栅绝缘层、有源层、源极和漏极,栅绝缘层设置在栅极和有源层之间,源极和漏极分别对应设置在有源层的两端,有源层采用金属氮氧化物材料形成,还包括能导电的氧空位削减层,氧空位削减层设置在有源层与源极之间,和/或氧空位削减层设置在有源层与漏极之间,用于对有源层中的氧空位进行削减。该薄膜晶体管通过设置氧空位削减层,使有源层中氧空位的数量大大减少,从而提高了载流子的传输速率,同时还降低了薄膜晶体管的亚阈值摆幅,进而大大提升了薄膜晶体管的导通性能。 | ||
搜索关键词: | 一种 薄膜晶体管 阵列 显示装置 | ||
【主权项】:
一种薄膜晶体管,包括栅极、栅绝缘层、有源层、源极和漏极,所述栅绝缘层设置在所述栅极和所述有源层之间,所述源极和所述漏极分别对应设置在所述有源层的两端,所述有源层采用金属氮氧化物材料形成,其特征在于,还包括能导电的氧空位削减层,所述氧空位削减层设置在所述有源层与所述源极之间,和/或所述氧空位削减层设置在所述有源层与所述漏极之间,用于使其中的氮原子渗透到所述有源层中,以对所述有源层中的氧空位进行削减;所述氧空位削减层采用金属氮化物材料。
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