[发明专利]集成非极性GaN纳米线高电子迁移率晶体管及其制备方法在审
| 申请号： | 201410334651.4 | 申请日： | 2014-07-14 |
| 公开（公告）号： | CN104124272A | 公开（公告）日： | 2014-10-29 |
| 发明（设计）人： | 李述体;李凯;于磊;王幸福 | 申请（专利权）人： | 华南师范大学 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L21/335;B82Y10/00 |
| 代理公司： | 广州嘉权专利商标事务所有限公司 44205 | 代理人： | 郑莹 |
| 地址： | 510275 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了集成非极性GaN纳米线高电子迁移率晶体管及其制备方法，包括衬底和位于衬底上的绝缘介质层，所述绝缘介质层上刻蚀有多个间隔排列的凹槽，所述多个凹槽内分别生长有异质结纳米线，所述绝缘介质层上形成有源极和漏极，所述源极和漏极分别位于异质结纳米线的两端并与分别与各异质结纳米线连接，所述源极和漏极之间形成有栅极，所述栅极与异质结纳米线之间设有栅介质层。本发明能将外延生长与器件的制备有机统一，大大简化了工艺步骤，优化了工艺方法。本发明解决了当前纳米线晶体管采用溶液稀释涂覆带来的不可控性及无序性，有效提高了纳米线晶体管制备的成功率。本发明可广泛应用于半导体领域。 | ||
| 搜索关键词： | 集成 极性 gan 纳米 电子 迁移率 晶体管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
集成非极性GaN纳米线高电子迁移率晶体管，其特征在于：包括衬底（1）和位于衬底（1）上的绝缘介质层（2），所述绝缘介质层（2）上刻蚀有多个凹槽（3），所述多个凹槽（3）内分别生长有异质结纳米线（4），所述绝缘介质层（2）上形成有源极（5）和漏极（6），所述源极（5）和漏极（6）分别位于异质结纳米线（4）的两端并与分别与各异质结纳米线（4）连接，所述源极（5）和漏极（6）之间形成有栅极（7），所述栅极（7）与异质结纳米线（4）之间设有栅介质层（8）。
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