[发明专利]一种ZnO粉末的提纯方法有效

专利信息
申请号: 201410334917.5 申请日: 2014-07-15
公开(公告)号: CN104118900A 公开(公告)日: 2014-10-29
发明(设计)人: 曾体贤;蒋屿潞;黄超;刘其娅;杨尚云 申请(专利权)人: 西华师范大学
主分类号: C01G9/02 分类号: C01G9/02
代理公司: 北京科亿知识产权代理事务所(普通合伙) 11350 代理人: 汤东凤
地址: 637000 四川省*** 国省代码: 四川;51
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摘要: 发明涉及一种适用于ZnO粉末提纯的工艺。在石英安瓿中采用抽空加热并结合石墨辅助化学气相法对ZnO粉末进行提纯。测试结果显示,提纯后得到的ZnO多晶杂质离子(如Ag、Cu、Pb等对器件影响较大的深能级、多能级重金属离子)明显减少,纯度大幅提高,结晶度好。该方法对设备要求较低,操作简单,提纯效率高,实用性强,适合推广。
搜索关键词: 一种 zno 粉末 提纯 方法
【主权项】:
一种ZnO粉末的提纯方法,其特征在于包括以下步骤:步骤一,清洗石英安瓿将石英安瓿放入氢氟酸和硝酸混合溶液(氢氟酸和硝酸配比为3:1)中浸泡3‑5分钟,然后用去离子水将石英安瓿反复清洗后烘干;步骤二:去原料中的低温易挥发的杂质:将ZnO粉末与石墨粉按一定质量(50:1‑300:1)比例放入步骤一所述的石英安瓿内,抽真空至10‑5Pa‑10‑4Pa后,再将该石英安瓿放置在竖式管式炉中,控制料区温度在100℃‑300℃范围内,保温1‑3小时,待管内真空度达到恒定的最大值时,利用氢氧焰喷枪将石英安瓿管口封结;步骤三:ZnO粉末提纯:将封结后的石英安瓿放入水平管式炉内,控制原料区(ZnO粉末与石墨粉所在的高温区)温度至1000℃‑1200℃,结晶端(石英安瓿的另一端即为低温区)温度至980℃‑1180℃,所述原料区和结晶端的温差在100℃以内,提纯时间为5‑10天,后经过5‑10小时降温至室温,在结晶端即得到提纯后的ZnO多晶体,石墨粉全部分布在料区石英管壁,在结晶端无石墨粉。
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