[发明专利]一种峰值掺杂结合对称线性掺杂结构的碳纳米场效应管在审
| 申请号： | 201410334950.8 | 申请日： | 2014-07-14 |
| 公开（公告）号： | CN104103692A | 公开（公告）日： | 2014-10-15 |
| 发明（设计）人： | 王伟;高健;张露;岳工舒;张婷;李娜;杨晓 | 申请（专利权）人： | 南京邮电大学 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;B82Y10/00 |
| 代理公司： | 南京经纬专利商标代理有限公司 32200 | 代理人： | 叶连生 |
| 地址： | 210023 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种峰值掺杂结合对称线性掺杂结构的碳纳米场效应管，构建了适用于峰值掺杂结合对称线性掺杂结构的碳纳米场效应管的输运模型，利用该模型分析计算了HALO-Linear掺杂策略对碳纳米场效应管电学特性的影响。通过与采用其他掺杂策略CNTFET的电学特性对比分析，发现这种掺杂结构的碳纳米场效应管具有更大的开关电流比、更低的泄漏电流、更小的亚阈值摆幅，更高的截止频率和更小的延迟时间，即表明采用HALO-Linear掺杂策略的CNTFET具有更好的栅控能力，更好的开关特性，能够有效的抑制短沟道效应和热载流子效应。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 峰值 掺杂 结合 对称 线性 结构 纳米 场效应 | ||
【主权项】：
一种峰值掺杂结合对称线性掺杂结构的碳纳米场效应管，其特征在于，该场效应管包括源极Vs、漏极VD、沟道、栅氧化层(2)和双栅极VG结构，所述沟道由碳纳米管层构成，在所述碳纳米管层上从临近源极一端向临近漏极一端依次为N型重掺杂区(3)、线性掺杂结构(5)、峰值掺杂结构(4)、本征碳纳米管(6)、线性掺杂结构(5)、N型重掺杂区(3)；栅氧化层(2)位于碳纳米管层的两侧，在两栅氧化层(2)的外侧设有栅极(1)形成双栅极结构。
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