[发明专利]在柔性衬底表面制作硬质微针阵列的方法有效

专利信息
申请号: 201410335136.8 申请日: 2014-07-15
公开(公告)号: CN104140075A 公开(公告)日: 2014-11-12
发明(设计)人: 裴为华;张贺;王宇;陈远方;陈弘达 申请(专利权)人: 中国科学院半导体研究所
主分类号: B81C1/00 分类号: B81C1/00;A61M37/00;A61B5/04;A61B10/02
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 任岩
地址: 100083 *** 国省代码: 北京;11
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摘要: 一种在柔性衬底表面制作硬质微针阵列的方法,包括:在一硅片上生长一层第一Parylene薄膜后旋涂一层柔性聚合物层,加热固化;将其揭下;在与第一Parylene薄膜接触的那一面的柔性聚合物层上生长一层第二Parylene薄膜后旋涂一层聚二甲基硅氧烷层,加热固化;在一金属或半导体材料上双面生长一层二氧化硅薄膜;将二氧化硅薄膜与PDMS层键合在一起;将其揭下;在二氧化硅薄膜上旋涂一层均匀的光刻胶,光刻;得到柔性衬底的硬质微柱阵列,形成基片;面旋涂光刻胶后,将基片放在腐蚀液中,将基片上的硬质微柱阵列腐蚀出针尖形状,完成制备。本发明大大提高了微针使用时的舒适度,降低了硬质微针折断的风险,提高了微针阵列的使用寿命。
搜索关键词: 柔性 衬底 表面 制作 硬质 阵列 方法
【主权项】:
一种在柔性衬底表面制作硬质微针阵列的方法,包括如下步骤:步骤1:在一硅片上生长一层第一Parylene薄膜;步骤2:在第一Parylene薄膜的表面旋涂一层柔性聚合物层,加热固化;步骤3:将柔性聚合物层从第一Parylene薄膜表面揭下;步骤4:在与第一Parylene薄膜接触的那一面的柔性聚合物层上生长一层第二Parylene薄膜;步骤5:在生长有第二Parylene薄膜的柔性聚合物层上旋涂一层聚二甲基硅氧烷层,加热固化;步骤6:在一金属或半导体材料上双面生长一层二氧化硅薄膜;步骤7:将二氧化硅薄膜与PDMS层同时用氧等离子体处理后,键合在一起;步骤8:将PDMS层从第二Parylene薄膜表面揭下;步骤9:在金属或半导体材料未用于键合的一面的二氧化硅薄膜上旋涂一层均匀的光刻胶,通过光刻形成圆形光刻胶阵列;步骤10:刻蚀二氧化硅薄膜与金属或半导体材料,刻蚀深度到达PDMS层的表面,得到柔性衬底的硬质微柱阵列,形成基片;步骤11:在PDMS层表面旋涂一层光刻胶,然后将基片放在腐蚀液中,将基片上的硬质微柱阵列腐蚀出针尖形状,完成制备。
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