[发明专利]一种非晶氧化物半导体薄膜及其制备方法和应用在审
| 申请号： | 201410335665.8 | 申请日： | 2014-07-15 |
| 公开（公告）号： | CN104078513A | 公开（公告）日： | 2014-10-01 |
| 发明（设计）人： | 吕建国;孙汝杰;江庆军;闫伟超;冯丽莎;叶志镇 | 申请（专利权）人： | 浙江大学 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/26;H01L21/02;C23C14/34;C23C14/08 |
| 代理公司： | 杭州宇信知识产权代理事务所(普通合伙) 33231 | 代理人： | 张宇娟 |
| 地址： | 310027 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种透明非晶氧化物半导体薄膜及其制备方法以及作为沟道层在薄膜晶体管（TFT）中的应用。该氧化物的化学式为TixZnSnO2x+3，其中0.02≤x≤0.06。室温条件下，使用高纯度的TiO2，ZnO和SnO2粉末按一定比例混合烧结的靶材，利用射频磁控溅射方法制备非晶氧化物薄膜；制得的非晶氧化物薄膜具有均匀致密、表面平整、可见光透过率高、且制备成本低等优点。以该非晶氧化物薄膜为沟道层制备薄膜晶体管，表现出优异的电学性能，其饱和迁移率为1.61cm2/Vs，亚阈值摆幅为0.79V/decade，开关比能达到105～108。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 氧化物 半导体 薄膜 及其 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
一种非晶氧化物半导体薄膜，其特征在于：所述非晶氧化物半导体薄膜化学式为TixZnSnO2x+3，其中0.02≤x≤0.06，所述非晶氧化物半导体薄膜的物理特性如下：室温生长及400℃条件下退火后均保持非晶相；可见光透过率大于85%。
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