[发明专利]通过执行替代生长制程形成FINFET半导体装置的替代鳍片的方法有效
| 申请号： | 201410336404.8 | 申请日： | 2014-07-15 |
| 公开（公告）号： | CN104299893B | 公开（公告）日： | 2017-06-06 |
| 发明（设计）人： | A·P·雅各布;M·K·阿卡尔瓦尔达;J·弗伦海泽;W·P·马斯扎拉 | 申请（专利权）人： | 格罗方德半导体公司 |
| 主分类号： | H01L21/20 | 分类号： | H01L21/20;H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京戈程知识产权代理有限公司11314 | 代理人： | 程伟,王锦阳 |
| 地址： | 英属开曼群*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明揭露通过执行替代生长制程形成FINFET半导体装置的替代鳍片的方法。在一实施例中，稳定替代鳍片所生长至的高度大于该替代鳍片材料的无约束稳定临界厚度且该稳定替代鳍片遍及其整个高度具有104缺陷/厘米2或更低的缺陷密度。在另一实施例中，亚稳定替代鳍片所生长至的高度大于该替代鳍片材料的无约束亚稳定临界厚度且该亚稳定替代鳍片遍及其整个高度的至少90％具有105缺陷/厘米2或更低的缺陷密度。 | ||
| 搜索关键词： | 通过 执行 替代 生长 形成 finfet 半导体 装置 方法 | ||
【主权项】：
一种制造FinFET装置的方法，包括：在位于由第一半导体材料组成的衬底上方的绝缘材料层中形成沟槽，该沟槽暴露该衬底的表面，该沟槽在该沟槽的底部具有小于或等于20纳米的宽度以及60纳米或更小的深度；以及执行外延沉积制程，以在该衬底暴露的该表面上方形成稳定的替代鳍片材料，其中，该替代鳍片具有60纳米或更小的高度且其沿与该替代鳍片的轴向长度方向对应的结晶平面完全应变，其中，该替代鳍片由与该第一半导体材料不同的第二半导体材料组成，以及其中，该替代鳍片材料遍及该替代鳍片材料的整个高度具有104缺陷/厘米2或更低的缺陷密度。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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