[发明专利]控制多晶硅刻蚀侧壁角度的方法在审
| 申请号： | 201410337031.6 | 申请日： | 2014-07-15 |
| 公开（公告）号： | CN105336602A | 公开（公告）日： | 2016-02-17 |
| 发明（设计）人： | 周娜;蒋中伟 | 申请（专利权）人： | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/3065 | 分类号： | H01L21/3065 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 李芙蓉 |
| 地址： | 100176 北京市大*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种控制多晶硅刻蚀侧壁角度的方法，包括如下步骤：对多晶硅层表面的掩膜层进行光刻工艺处理得到纵截面为梯形的沟槽；对所述沟槽中暴露出来的多晶硅层进行干法刻蚀处理；干法刻蚀处理包括如下步骤：通入第一气体对所述暴露出来的多晶硅层进行主刻蚀处理直至被刻蚀的多晶硅层的厚度为预设值为止；通入第二气体对剩余的多晶硅层进行过刻蚀处理。本发明的控制多晶硅刻蚀侧壁角度的方法能够克服整体采用HBr气体刻蚀出的图形陡直、角度的调节不灵活的缺陷，获得倾斜角度较小的侧壁，进一步的主刻蚀处理中刻蚀速率较快，而在过刻蚀处理中刻蚀速率相对较慢，这样既提高了整体刻蚀速度，又保护了下层的SiO2不被破坏。 | ||
| 搜索关键词： | 控制 多晶 刻蚀 侧壁 角度 方法 | ||
【主权项】：
一种控制多晶硅刻蚀侧壁角度的方法，其特征在于，包括如下步骤：对多晶硅层表面的掩膜层进行光刻工艺处理得到纵截面为梯形的沟槽；对所述沟槽中暴露出来的多晶硅层进行干法刻蚀处理；所述干法刻蚀处理包括如下步骤：通入第一气体对所述暴露出来的多晶硅层进行主刻蚀处理直至被刻蚀的多晶硅层的剩余厚度达到预设值为止，所述第一气体包括F基气体；通入第二气体对剩余的多晶硅层进行过刻蚀处理，所述第二气体包括HBr气体。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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