[发明专利]一种制备高效铸锭多晶的方法有效
| 申请号： | 201410337376.1 | 申请日： | 2014-07-15 |
| 公开（公告）号： | CN104088013A | 公开（公告）日： | 2014-10-08 |
| 发明（设计）人： | 熊震;叶宏亮 | 申请（专利权）人： | 常州天合光能有限公司 |
| 主分类号： | C30B28/06 | 分类号： | C30B28/06;C30B29/06 |
| 代理公司： | 常州市科谊专利代理事务所 32225 | 代理人： | 孙彬 |
| 地址： | 213022 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种制备高效铸锭多晶的方法，其包含如下步骤：（a）提供一硅片，作为软模板；（b）对硅片双面进行清洗和去损伤层处理；（c）在硅片的单面制备高熔点的含硅薄膜，作为硬模板；其中，含硅薄膜的熔点高于硅熔点，并且含硅薄膜与硅片的界面保持了硅片表面原子的有序排列；（d）将生有含硅薄膜的硅片倒扣在生长容器底部，其含硅薄膜面朝向生长容器底部，在其非含硅薄膜面上堆放硅原料。本发明通过合理制备诱导薄膜来诱导铸锭多晶硅的生长，从而得到低缺陷密度的高效铸锭多晶产品，工艺简单。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 制备 高效 铸锭 多晶 方法 | ||
【主权项】：
一种制备高效铸锭多晶的方法，其特征在于，其包含如下步骤：(a)提供一硅片，作为软模板；(b)对硅片双面进行清洗和去损伤层处理；(c)在硅片的单面制备高熔点的含硅薄膜，作为硬模板；其中，含硅薄膜的熔点高于硅熔点，并且含硅薄膜与硅片的界面保持了硅片表面原子的有序排列；(d)将生有含硅薄膜的硅片倒扣在生长容器底部，其含硅薄膜面朝向生长容器底部，在其非含硅薄膜面上堆放硅原料。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于常州天合光能有限公司，未经常州天合光能有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201410337376.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种单晶硅片制绒的清洗方法及单晶制绒设备
- 下一篇：一种氮化层去除工艺
