[发明专利]在SiC衬底上形成有导光层的GaN基LED的制造方法有效
| 申请号： | 201410337635.0 | 申请日： | 2014-07-16 |
| 公开（公告）号： | CN104143593B | 公开（公告）日： | 2017-04-12 |
| 发明（设计）人： | 孔庆峰;马平;纪攀峰;卢鹏志;杨华;刘志强;伊晓燕;王军喜;王国宏;曾一平;李晋闽 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司11021 | 代理人： | 宋焰琴 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种在SiC衬底上形成有导光层的GaN基LED的制造方法，包括下列步骤在SiC衬底上生长LED外延片；制备出P面具有反射金属膜的外延片，与新的衬底键合，形成倒装结构的LED外延片；采用机械研磨工艺将SiC衬底减薄；在SiC衬底表面形成一层厚导光层，由此得到具有导光层的SiC衬底的GaN基LED。本发明简单可靠、易于实现，可显著提高SiC衬底LED器件的发光效率。 | ||
| 搜索关键词： | sic 衬底 形成 有导光层 gan led 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种在SiC衬底上形成有导光层的GaN基LED的制造方法，包括下列步骤：将GaN基LED的SiC衬底减薄；在所述SiC衬底表面形成一层导光层，由此得到具有导光层的SiC衬底的GaN基LED；其中所述导光层的材料选自Al2O3、AlN、SiN、GaN、GaO、SiO2；所述导光层用粘结剂粘合到SiC衬底上；所述粘结剂的折射率为1.5～2.5，透光率大于85％。
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