[发明专利]一种场效应晶体管TSP参数的提取方法有效
| 申请号： | 201410338570.1 | 申请日： | 2014-07-16 |
| 公开（公告）号： | CN104142463A | 公开（公告）日： | 2014-11-12 |
| 发明（设计）人： | 罗景涛 | 申请（专利权）人： | 西安芯派电子科技有限公司 |
| 主分类号： | G01R31/26 | 分类号： | G01R31/26 |
| 代理公司： | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人： | 蔡和平 |
| 地址： | 710075 陕西省*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明一种场效应晶体管TSP参数的提取方法，步骤如下，1)将待测场效应晶体管与电压测量单元采用开尔文方式连接，待测器件放入高温箱的箱体内；2)高温箱设置初始温度为25℃，到达设定温度后保持温度直至待测场效应晶体管的结温与高温箱内温度达到平衡；3)通过电压测量单元测试待测场效应晶体管的反向击穿电压，得到一组结温和反向击穿电压的数据；4)在25℃～125℃的范围内，在若干设定温度下，分别重复步骤2)和步骤3)，对应得到若干组结温和反向击穿电压的数据；5)将所有的反向击穿电压转化为归一化数值BVR(nor)，然后将结温和对应的归一化数值进行拟合得到一次线性方程，得到的场效应晶体管TSP参数。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 场效应 晶体管 tsp 参数 提取 方法 | ||
【主权项】：
一种场效应晶体管TSP参数的提取方法，其特征在于，包括如下步骤，1)将待测场效应晶体管与电压测量单元采用开尔文方式连接，待测器件放入高温箱的箱体内；2)高温箱设置初始温度为25℃，到达设定温度后保持温度直至待测场效应晶体管的结温与高温箱内温度达到平衡；3)通过电压测量单元测试待测场效应晶体管的反向击穿电压，得到一组结温和反向击穿电压的数据；4)在25℃～125℃的范围内，在若干设定温度下，分别重复步骤2)和步骤3)，对应得到若干组结温和反向击穿电压的数据；5)将所有的反向击穿电压转化为归一化数值BVR(nor)，然后将结温和对应的归一化数值进行拟合得到一次线性方程Tj＝K*BVR(nor)+offset，其中，Tj为待测场效应晶体管的结温，offset为Tj截距，得到的K即为场效应晶体管TSP参数。
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