[发明专利]用于改进的RRAM可靠性的金属线连接件、包括它的半导体布置及其制造方法有效
申请号: | 201410338629.7 | 申请日: | 2014-07-16 |
公开(公告)号: | CN104752456B | 公开(公告)日: | 2018-01-26 |
发明(设计)人: | 蔡竣扬;丁裕伟;黄国钦 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/24 | 分类号: | H01L27/24;H01L45/00;H01L21/768 |
代理公司: | 北京德恒律治知识产权代理有限公司11409 | 代理人: | 章社杲,孙征 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 台湾;71 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 一种集成电路器件包括RRAM单元的阵列、用于RRAM单元的阵列的位线的阵列以及用于RRAM单元的阵列的源极线的阵列。源极线和位线都位于RRAM单元之上的金属互连层中。从而提供了具有比传统的引线尺寸更高的源极线,这使复位速度增大了约一个数量级。结果,RRAM晶体管的寿命和RRAM器件的耐久性提高了类似的程度。本发明提供用于改进的RRAM可靠性的金属线连接件、包括它的半导体布置及其制造方法。 | ||
搜索关键词: | 用于 改进 rram 可靠性 金属线 连接 包括 半导体 布置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种集成电路器件,包括:RRAM单元的阵列;位线的阵列,连接至所述RRAM单元的阵列,每条所述位线具有第一截面面积,所述第一截面面积为所述位线的宽度与厚度的乘积;以及源极线的阵列,用于所述RRAM单元的阵列,每条所述源极线具有第二截面面积,所述第二截面面积为所述源极线的宽度与厚度的乘积;其中,所述第二截面面积大于所述第一截面面积;以及所述源极线和所述位线配置为运载用于使所述RRAM单元置位和复位的电流。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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