[发明专利]用于改进的RRAM可靠性的金属线连接件、包括它的半导体布置及其制造方法有效

专利信息
申请号: 201410338629.7 申请日: 2014-07-16
公开(公告)号: CN104752456B 公开(公告)日: 2018-01-26
发明(设计)人: 蔡竣扬;丁裕伟;黄国钦 申请(专利权)人: 台湾积体电路制造股份有限公司
主分类号: H01L27/24 分类号: H01L27/24;H01L45/00;H01L21/768
代理公司: 北京德恒律治知识产权代理有限公司11409 代理人: 章社杲,孙征
地址: 中国台*** 国省代码: 台湾;71
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摘要: 一种集成电路器件包括RRAM单元的阵列、用于RRAM单元的阵列的位线的阵列以及用于RRAM单元的阵列的源极线的阵列。源极线和位线都位于RRAM单元之上的金属互连层中。从而提供了具有比传统的引线尺寸更高的源极线,这使复位速度增大了约一个数量级。结果,RRAM晶体管的寿命和RRAM器件的耐久性提高了类似的程度。本发明提供用于改进的RRAM可靠性的金属线连接件、包括它的半导体布置及其制造方法。
搜索关键词: 用于 改进 rram 可靠性 金属线 连接 包括 半导体 布置 及其 制造 方法
【主权项】:
一种集成电路器件,包括:RRAM单元的阵列;位线的阵列,连接至所述RRAM单元的阵列,每条所述位线具有第一截面面积,所述第一截面面积为所述位线的宽度与厚度的乘积;以及源极线的阵列,用于所述RRAM单元的阵列,每条所述源极线具有第二截面面积,所述第二截面面积为所述源极线的宽度与厚度的乘积;其中,所述第二截面面积大于所述第一截面面积;以及所述源极线和所述位线配置为运载用于使所述RRAM单元置位和复位的电流。
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