[发明专利]一种薄膜太阳能电池AZO薄膜的等离子体织构方法有效

专利信息
申请号: 201410339032.4 申请日: 2014-07-16
公开(公告)号: CN104201235B 公开(公告)日: 2017-04-05
发明(设计)人: 周海平;常小幻;向勇 申请(专利权)人: 电子科技大学
主分类号: H01L31/18 分类号: H01L31/18;H01L31/0236
代理公司: 电子科技大学专利中心51203 代理人: 张杨
地址: 611731 四川省成*** 国省代码: 四川;51
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明涉及半导体工业领域,特别涉及一种薄膜太阳能电池AZO薄膜的等离子体织构方法。运用等离子体刻蚀方法的物理性刻蚀和化学性刻蚀以及其刻蚀程度的高可调控性等优点刻蚀薄膜太阳能电池AZO薄膜。本方法可以达到湿法刻蚀的效果,同时因为不使用腐蚀性溶液,避免反应溶液处理不当对环境造成的污染;通过对本方法中基片架的加热温度、通入气体流量、射频源功率和频率、刻蚀时间的控制,提高刻蚀的可控性。对比溅射沉积绒面AZO薄膜,因粒子能量有限织构化效果不明显,可以达到优良的刻蚀效果。实现了一种陷光结构效果优良、刻蚀过程可控性高、无污染的薄膜太阳能电池AZO薄膜的织构方法,从而用于提高太阳能电池转化效率的技术中。
搜索关键词: 一种 薄膜 太阳能电池 azo 等离子体 方法
【主权项】:
一种薄膜太阳能电池AZO薄膜的等离子体织构方法,其特征在于,包括如下步骤:步骤一、清洗AZO玻璃基片,通过进样室把清洗干净的AZO玻璃基片送到等离子体刻蚀设备反应室的基片架上;步骤二、开加热电源,对基片架进行加热;步骤三、对反应室抽真空,直到反应室的本底真空度为1×10‑4‑3×10‑3Pa;步骤四、同时通入反应气体氮气和氢气,并且调整反应室工作气压为0.3‑15Pa;步骤五、开启射频电源,预热5分钟,设置功率,调节匹配,直至起辉产生等离子体;步骤六、继续通入氮气和氢气,并保持加热温度,同时开始计时刻蚀;步骤七、达到刻蚀时间后,关闭射频电源,关闭加热电源,关闭气体,对反应室抽气,两个小时后,取出AZO玻璃基片,即完成AZO玻璃基片的刻蚀;所述步骤一AZO玻璃基片的清洗步骤包括:先用去污粉加清水冲洗,直至没有气泡,然后用丙酮清洗,再用95%的乙醇冲洗后,用乙醇溶液再超声清洗20分钟,最后用去离子水冲洗,用去离子水再超声清洗20分钟,然后用高纯氮气吹干。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于电子科技大学,未经电子科技大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201410339032.4/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top