[发明专利]一种薄膜太阳能电池AZO薄膜的等离子体织构方法有效
申请号: | 201410339032.4 | 申请日: | 2014-07-16 |
公开(公告)号: | CN104201235B | 公开(公告)日: | 2017-04-05 |
发明(设计)人: | 周海平;常小幻;向勇 | 申请(专利权)人: | 电子科技大学 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L31/0236 |
代理公司: | 电子科技大学专利中心51203 | 代理人: | 张杨 |
地址: | 611731 四川省成*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | 本发明涉及半导体工业领域,特别涉及一种薄膜太阳能电池AZO薄膜的等离子体织构方法。运用等离子体刻蚀方法的物理性刻蚀和化学性刻蚀以及其刻蚀程度的高可调控性等优点刻蚀薄膜太阳能电池AZO薄膜。本方法可以达到湿法刻蚀的效果,同时因为不使用腐蚀性溶液,避免反应溶液处理不当对环境造成的污染;通过对本方法中基片架的加热温度、通入气体流量、射频源功率和频率、刻蚀时间的控制,提高刻蚀的可控性。对比溅射沉积绒面AZO薄膜,因粒子能量有限织构化效果不明显,可以达到优良的刻蚀效果。实现了一种陷光结构效果优良、刻蚀过程可控性高、无污染的薄膜太阳能电池AZO薄膜的织构方法,从而用于提高太阳能电池转化效率的技术中。 | ||
搜索关键词: | 一种 薄膜 太阳能电池 azo 等离子体 方法 | ||
【主权项】:
一种薄膜太阳能电池AZO薄膜的等离子体织构方法,其特征在于,包括如下步骤:步骤一、清洗AZO玻璃基片,通过进样室把清洗干净的AZO玻璃基片送到等离子体刻蚀设备反应室的基片架上;步骤二、开加热电源,对基片架进行加热;步骤三、对反应室抽真空,直到反应室的本底真空度为1×10‑4‑3×10‑3Pa;步骤四、同时通入反应气体氮气和氢气,并且调整反应室工作气压为0.3‑15Pa;步骤五、开启射频电源,预热5分钟,设置功率,调节匹配,直至起辉产生等离子体;步骤六、继续通入氮气和氢气,并保持加热温度,同时开始计时刻蚀;步骤七、达到刻蚀时间后,关闭射频电源,关闭加热电源,关闭气体,对反应室抽气,两个小时后,取出AZO玻璃基片,即完成AZO玻璃基片的刻蚀;所述步骤一AZO玻璃基片的清洗步骤包括:先用去污粉加清水冲洗,直至没有气泡,然后用丙酮清洗,再用95%的乙醇冲洗后,用乙醇溶液再超声清洗20分钟,最后用去离子水冲洗,用去离子水再超声清洗20分钟,然后用高纯氮气吹干。
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