[发明专利]一种提高单片机对高宽比图形的清洗能力之方法在审
| 申请号： | 201410339804.4 | 申请日： | 2014-07-17 |
| 公开（公告）号： | CN104091755A | 公开（公告）日： | 2014-10-08 |
| 发明（设计）人： | 宋振伟 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 王宏婧 |
| 地址： | 201203 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种提高单片机对高宽比图形的清洗能力之方法，包括：执行步骤S1：单片机酸液喷射装置之喷液头在距离硅片边缘5～10mm处垂直运行，使得酸液垂直喷射在硅片之表面；执行步骤S2：单片机酸液喷液装置之喷液头在距离硅片边缘1～5mm处倾斜运动，使得酸液呈预设角度喷射在硅片之表面。本发明通过单片机酸液喷射装置之喷液头在距离硅片边缘5～10mm处垂直运行，使得酸液垂直喷射在所述硅片之表面；同时，通过单片机酸液喷液装置之喷液头在距离硅片边缘1～5mm处倾斜运动，使得酸液呈预设角度喷射在所述硅片之表面，不仅增加酸液在高宽比图形之硅片上的钻孔能力，提高单片机对高宽比图形的清洗能力，而且保证单片机的去缺陷能力。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 提高 单片机 图形 清洗 能力 方法 | ||
【主权项】：
一种提高单片机对高宽比图形的清洗能力之方法，其特征在于，所述提高单片机对高宽比图形的清洗能力之方法，包括：执行步骤S1：单片机酸液喷射装置之喷液头在距离硅片边缘5～10mm处垂直运行，使得所述酸液垂直喷射在所述硅片之表面；执行步骤S2：单片机酸液喷液装置之喷液头在距离硅片边缘1～5mm处倾斜运动，使得所述酸液呈预设角度喷射在所述硅片之表面。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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