[发明专利]半导体集成电路有效
| 申请号： | 201410339871.6 | 申请日： | 2002-12-19 |
| 公开（公告）号： | CN104200840B | 公开（公告）日： | 2018-08-07 |
| 发明（设计）人： | 中村宽;今宫贤一;山村俊雄;细野浩司;河合矿一 | 申请（专利权）人： | 东芝存储器株式会社 |
| 主分类号： | G11C16/10 | 分类号： | G11C16/10;G11C16/26;G11C7/06;G11C7/10 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 付建军 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体集成电路，在NAND单元型EEPROM中，在数据写入动作中并行执行写入数据输入动作，使得整个数据写入顺序所需时间缩短。其中，具有在动作结束后在将该动作的成功/失败结果保持于芯片内的第1动作及第2动作，在第1动作和第2动作连续进行时，具有在第1和第2动作结束后把第1动作和第2动作这两者的成功/失败结果输出的动作。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 集成电路 | ||
【主权项】：
1.一种半导体存储装置，其特征在于，具备：设置有多个存储器单元的存储器单元阵列；闩锁电路，能够对从上述存储器单元的至少一个读出的数据进行闩锁；以及高速缓存电路，能够保持从上述闩锁电路转送来的上述数据，其中，在上述半导体存储装置接收到第1命令、地址、第2命令以及第3命令后，从上述高速缓存电路向上述半导体存储装置的外部输出第1数据的动作能够与上述闩锁电路从上述存储器单元读出第2数据的动作并行地同时执行。
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