[发明专利]结晶性硅晶片的织构蚀刻液组合物及织构蚀刻方法在审
| 申请号： | 201410340376.7 | 申请日： | 2014-07-16 |
| 公开（公告）号： | CN104294368A | 公开（公告）日： | 2015-01-21 |
| 发明（设计）人： | 朴勉奎;洪亨杓;林大成 | 申请（专利权）人： | 东友精细化工有限公司 |
| 主分类号： | C30B33/10 | 分类号： | C30B33/10 |
| 代理公司： | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人： | 杨黎峰;石磊 |
| 地址： | 韩国全罗*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明涉及一种结晶性硅晶片的织构蚀刻液组合物及织构蚀刻方法。通过包含碱性化合物和聚合度为1,000以下的水溶性葡聚糖类化合物，所述水溶性葡聚糖类化合物是将由碳数为1～3的烷基羧基或其金属盐取代后的葡萄糖进行聚合、且所述羧基或其金属盐的总取代度为0.5～1.2，由此，在结晶性硅晶片的表面形成微细金字塔结构时，通过控制相对于硅结晶方向的蚀刻速度之差，来防止由碱性化合物造成的过度蚀刻，从而能够使不同位置的织构的质量偏差变得最小，并能够使光效率增加。 | ||
| 搜索关键词： | 结晶 晶片 蚀刻 组合 方法 | ||
【主权项】：
一种结晶性硅晶片的织构蚀刻液组合物，所述组合物包含：碱性化合物和聚合度为1,000以下的水溶性葡聚糖类化合物，所述水溶性葡聚糖类化合物是将由碳数为1～3的烷基羧基或其金属盐取代后的葡萄糖进行聚合，所述羧基或其金属盐的总取代度为0.5～1.2。
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