[发明专利]一种带气泡的电流阻挡层的发光二极管及其制作方法有效

专利信息
申请号: 201410341608.0 申请日: 2014-07-18
公开(公告)号: CN104103732B 公开(公告)日: 2017-07-14
发明(设计)人: 钟志白;冯岩;杨力勋;江彦志;李佳恩;林素慧;徐宸科 申请(专利权)人: 厦门市三安光电科技有限公司
主分类号: H01L33/44 分类号: H01L33/44;H01L33/00
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 361009 福建省厦*** 国省代码: 福建;35
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摘要: 发明一种具有电流阻挡层的发光二极管的制作方法,至少包括以下步骤在衬底上生长发光外延叠层,自下而上依次包括N型半导体层、活性层和P型半导体层;在发光外延叠层表面旋涂液态绝缘材料,并采用起泡机在液态绝缘材料中形成微小气泡;对形成微小气泡的液态绝缘材料,进行快速固化;采用黄光光刻以及蚀刻工艺,保留电流阻挡层区域,该区域位于后续电极正下方;制作电极,从而制得发光二极管芯片结构。
搜索关键词: 一种 气泡 电流 阻挡 发光二极管 及其 制作方法
【主权项】:
一种带气泡的电流阻挡层的发光二极管的制作方法,至少包括以下步骤:(1)在衬底上生长发光外延叠层,自下而上依次包括N型半导体层、活性层和P型半导体层;(2)在发光外延叠层表面涂布液态绝缘材料,并采用起泡机在液态绝缘材料中形成微小气泡;(3)对形成微小气泡的液态绝缘材料,进行快速固化,用于充当电流阻挡层;(4)采用黄光光刻以及蚀刻工艺图形化所述电流阻挡层,保留位于后续电极正下方的电流阻挡层区域;(5)制作电极,从而制得发光二极管芯片结构。
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