[发明专利]非对称替代金属栅场效应晶体管及其制造方法有效
| 申请号： | 201410341729.5 | 申请日： | 2014-07-17 |
| 公开（公告）号： | CN104299996B | 公开（公告）日： | 2017-09-01 |
| 发明（设计）人： | V·S·巴斯克;山下典洪;叶俊呈 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336;H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所11247 | 代理人： | 贺月娇,于静 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及非对称替代金属栅场效应晶体管及其制造方法。一种非对称场效应晶体管(FET)器件，包括半导体衬底；被设置在所述半导体衬底上的掩埋氧化物层；被设置在所述掩埋氧化物层上的延伸的源极区；以及被设置在所述掩埋氧化物层上的漏极区。所述非对称FET器件也包括被设置在所述延伸的源极区与所述漏极区之间的绝缘体上硅区域以及被设置在所述延伸的源极区与所述绝缘体上硅区域上方的栅极区。 | ||
| 搜索关键词： | 对称 替代 金属 场效应 晶体管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种制造非对称场效应晶体管(FET)器件的方法，该方法包括：形成半导体结构，所述半导体结构具有衬底层、掩埋氧化物(BOX)层、具有源极和漏极区的绝缘体上半导体(SOI)层、所述SOI层上的伪栅以及围绕所述伪栅设置的偏移间隔物；去除所述伪栅和所述偏移间隔物的至少一部分以暴露所述SOI层的一部分；在所述SOI层的所述部分以及所述偏移间隔物之上沉积衬里层；向所述衬里层的第一部分中注入离子；在所述衬里层的第二部分上沉积氧化物膜；去除所述衬里层的所述第一部分以在所述氧化物膜与所述偏移间隔物之间形成沟槽；通过在所述SOI层的被设置在所述沟槽下方的部分中注入掺杂剂，形成延伸的源极区；去除所述氧化物膜以及所述衬里层的所述第二部分；在所述延伸的源极区、所述偏移间隔物和所述间隔物层的暴露部分上沉积高k层；在所述高k层之上沉积金属栅极层；以及在所述金属栅极层之上形成接触金属层。
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