[发明专利]半导体存储器装置有效
申请号: | 201410342200.5 | 申请日: | 2014-07-17 |
公开(公告)号: | CN104681094B | 公开(公告)日: | 2019-01-11 |
发明(设计)人: | 宋清基 | 申请(专利权)人: | 爱思开海力士有限公司 |
主分类号: | G11C29/12 | 分类号: | G11C29/12 |
代理公司: | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 | 代理人: | 俞波;毋二省 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 一种半导体存储器装置,包括:包括多个锁存器的锁存部,被配置成储存测试数据;控制信号发生部,被配置成响应于锁存器地址信号和第一数据输出模式信号而产生数据输出模式选择信号;以及输出电路,被配置成根据训练使能信号来操作以及响应于锁存器选择信号、数据输出模式选择信号和第二数据输出模式信号而产生通过所述多个锁存器中的每个锁存器输出的测试数据的至少子集。 | ||
搜索关键词: | 半导体 存储器 装置 | ||
【主权项】:
1.一种半导体存储器装置,包括:包括多个锁存器的锁存部,被配置成储存测试数据;控制信号发生部,被配置成响应于锁存器地址信号和第一数据输出模式信号而产生数据输出模式选择信号;以及输出电路,被配置成:根据训练使能信号来操作,以及响应于锁存器选择信号、所述数据输出模式选择信号和第二数据输出模式信号而产生通过所述多个锁存器中的每个锁存器输出的测试数据的至少子集。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于爱思开海力士有限公司,未经爱思开海力士有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201410342200.5/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种非易失性存储器的修复方法
- 下一篇:一种可重构线性反馈移位寄存器