[发明专利]一种采用基片集成同轴线技术的紧凑型双频枝节线耦合器

摘要

本发明公开了一种采用基片集成同轴线SICL技术的紧凑型双频枝节线耦合器，包括介质基片、上表面金属层、下表面金属层、耦合器的主体部分和接地共面波导，耦合器的主体部分包括信号传输线部分和四个矩形分布式电容，信号传输线部分包括由半SICL传输线构成的四条四分之一波长电长度的枝节线、由带状线构成的四条二分之一波长电长度枝节线和由SICL传输线构成的四条端口线，耦合器的端口线通过金属通孔与接地共面波导连接。与现有技术相比，本发明的紧凑型双频枝节线耦合器设计合理，结构紧凑，体积小，并且于所工作的频点在输入端口具有良好的回波损耗性能，在隔离端口具有良好的隔离度，在两个输出端口具有良好的相同幅度及90°相位差的性能。

主权项

一种采用基片集成同轴线技术的紧凑型双频枝节线耦合器，其特征在于：包括介质基片、上表面金属层、下表面金属层、耦合器的主体部分和接地共面波导GCPW，所述耦合器的主体部分包括四条四分之一波长电长度的枝节线、四条二分之一波长电长度的枝节线、四条端口线和四个矩形分布式电容，所述四分之一波长电长度的枝节线由半SICL传输线构成，端口线由SICL传输线构成，二分之一波长电长度的枝节线由弯折带状线构成；所述四个矩形分布式电容相对耦合器中心呈旋转对称式排布；所述波长为耦合器两个工作频率之和的二分之一频率对应的波长；所述SICL传输线的结构包括内导体信号线和外导体屏蔽层，外导体屏蔽层由设于内导体信号线两侧的若干金属通孔、上表面金属层和下表面金属层构成；所述半SICL传输线的结构包括内导体信号线和外导体屏蔽层，外导体屏蔽层由设于内导体信号线一侧的若干金属通孔、上表面金属层和下表面金属层构成；耦合器的主体部分的四条四分之一波长电长度的枝节线的内导体信号线首尾相连组成矩形结构，四条二分之一波长电长度的枝节线和四条端口线位于矩形结构的外侧，四个矩形分布式电容位于矩形结构的内侧；四条二分之一波长电长度的枝节线的带状线的一端分别与矩形结构的四个角连接，另一端设有接地金属通孔；四条端口线的内导体信号线的一端分别与矩形结构的四个角连接，另一端分别通过金属连接孔与一个GCPW连接；四个矩形分布式电容分别通过金属线与矩形结构的一角连接。