[发明专利]半导体晶圆的分断方法

摘要

本发明是关于一种能够不使用切割锯，而以简单的手法具效果地、且较完美地进行分断，并且能够进行薄板化的半导体晶圆的分断方法。借由使刻划轮(10)，沿分断预定线(L)一边进行按压一边转动，而形成由往厚度方向浸透的裂纹构成的刻划线(S)，此时的裂纹深度，成为未浸透利用接下来的研削磨石(3)进行的研削而薄板化的半导体晶圆(W)的厚度全域的程度；接着，使半导体晶圆(W)表背面反转，对刻划线(S)形成面的相反侧的面利用研削磨石(3)进行研削而薄板化半导体晶圆(W)；接着，从刻划线(S)形成面的相反侧的面沿刻划线(S)以裂断杆(5)进行按压，借此使半导体晶圆(W)挠曲而使裂纹进一步浸透从而分断半导体晶圆(W)。

主权项

1.一种半导体晶圆的分断方法，是对于应进行加工的半导体晶圆的一面利用研削磨石进行研削而薄板化并且沿分断预定线进行分断，其特征在于：借由使沿圆周棱线具有刃前端的刻划轮，沿该半导体晶圆的上面的分断预定线一边进行按压一边转动，而形成由往厚度方向浸透的裂纹构成的刻划线，此时所形成的裂纹深度，成为未浸透利用接下来的研削磨石进行的研削而薄板化的半导体晶圆的厚度全域的深度；接着，使该半导体晶圆表背面反转，对该刻划线形成面的相反侧的面利用研削磨石进行研削而薄板化半导体晶圆；接着，从刻划线形成面的相反侧的面沿该刻划线以裂断杆进行按压，借此使该半导体晶圆挠曲而使该裂纹进一步浸透从而分断半导体晶圆。