[发明专利]阵列基板及其制造方法在审
| 申请号： | 201410342978.6 | 申请日： | 2014-07-17 |
| 公开（公告）号： | CN104064516A | 公开（公告）日： | 2014-09-24 |
| 发明（设计）人： | 柴立 | 申请（专利权）人： | 深圳市华星光电技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/77 | 分类号： | H01L21/77;H01L27/12 |
| 代理公司： | 北京聿宏知识产权代理有限公司 11372 | 代理人： | 朱绘;张文娟 |
| 地址： | 518132 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种阵列基板及其制造方法，该制造方法包括：提供一基板；形成多个像素结构在显示区域，至少一个像素结构的制造方法包括：在基板上依次形成图案化第一金属层、栅极绝缘层以及图案化第二金属层，其中，图案化第一金属层包括栅线和与栅线绝缘设置的浮动金属图案，图案化第二金属层包括数据线、源极和漏极，数据线经由栅极绝缘层与浮动金属图案对应设置。本发明的阵列基板能够增大对由干刻电浆轰击第二金属层所产生的静电进行存储的电容，防止由电容存储能力不足而导致静电击穿。 | ||
| 搜索关键词： | 阵列 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种阵列基板的制造方法，包括：提供一基板，所述基板上具有显示区域；形成多个像素结构在所述显示区域，至少一个像素结构的制造方法包括：在所述基板上依次形成图案化第一金属层、栅极绝缘层以及图案化第二金属层，其中，所述图案化第一金属层包括栅线和与所述栅线绝缘设置的浮动金属图案，所述图案化第二金属层包括数据线、源极和漏极，所述数据线经由所述栅极绝缘层与所述浮动金属图案对应设置；在所述图案化第二金属层上形成图案化保护层，所述图案化保护层上具有露出部分漏极的过孔；在所述图案化保护层上形成图案化导电层而作为像素电极，所述像素电极通过所述过孔与所述漏极电连接。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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