[发明专利]一种纳米晶量子点薄膜、使用该薄膜改性的晶体硅太阳能电池及其制备方法有效
申请号: | 201410344202.8 | 申请日: | 2014-07-18 |
公开(公告)号: | CN104332514A | 公开(公告)日: | 2015-02-04 |
发明(设计)人: | 许荣辉;许粲;张伟振;肖民乐;李新利;李伟乐;马战红;廖良波;赵金鑫;张亚芳;刘志斌;李洛利;张建辉 | 申请(专利权)人: | 河南科技大学 |
主分类号: | H01L31/036 | 分类号: | H01L31/036;B82Y30/00;H01L31/072;H01L31/18 |
代理公司: | 郑州睿信知识产权代理有限公司 41119 | 代理人: | 牛爱周 |
地址: | 471003 河*** | 国省代码: | 河南;41 |
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摘要: | 本发明公开了一种纳米晶量子点薄膜、使用该薄膜改性的晶体硅太阳能电池及其制备方法,所述纳米晶量子点薄膜包括纳米晶量子点分散层,所述纳米晶量子点分散层包含CdS纳米晶量子点。本发明的纳米晶量子点薄膜,包含CdS纳米晶量子点,CdS纳米晶量子点具有被高能的蓝光和紫外线灯高能光子轰击时,释放两个以上电子的特性;并且研究表明,一个CdS纳米晶量子点吸收一个光子后可以发射2~7个电子;同时,CdS纳米晶量子点将紫外光吸收后,以荧光形式发射出蓝绿光,以利于晶体硅太阳能电池吸收发电,且发射出得蓝绿光光子数多于紫外光光子数;将该薄膜覆于晶体硅太阳能电池的工作面上,可大幅度提高太阳能电池的光电转换效率。 | ||
搜索关键词: | 一种 纳米 量子 薄膜 使用 改性 晶体 太阳能电池 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种纳米晶量子点薄膜,其特征在于:该薄膜包括纳米晶量子点分散层,所述纳米晶量子点分散层包含CdS纳米晶量子点。
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H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
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