[发明专利]半导体器件及其操作方法有效
| 申请号： | 201410344847.1 | 申请日： | 2014-07-18 |
| 公开（公告）号： | CN104835527B | 公开（公告）日： | 2019-10-11 |
| 发明（设计）人： | 李煕烈 | 申请（专利权）人： | 爱思开海力士有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/14 | 分类号： | G11C16/14;G11C16/06 |
| 代理公司： | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 | 代理人： | 俞波;许伟群 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 一种半导体器件的操作方法包括重复擦除循环和重复编程循环的步骤，所述擦除循环可以通过将擦除电压施加至选中的存储块以及执行擦除验证以判断选中的存储块中的存储器单元的阈值电压是否小于或等于目标电平来降低选中的存储块中的存储器单元的阈值电压，其中擦除电压被增加了电压差，其中电压差在连续应用的两个或更多个擦除循环之间增加。所述编程循环包括将编程电压施加至选中的字线以增加与选中的字线电耦接的存储器单元的阈值电压以及执行编程验证以判断阈值电压是否大于或等于目标电平，其中编程电压被增加了电压差，其中电压差在连续施加的两个或更多个编程电压之间增加。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 操作方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件的操作方法，包括以下步骤：重复擦除循环，所述擦除循环可以被执行以通过将擦除电压施加至选中的存储块以及执行擦除验证以判断所述选中的存储块中的存储器单元的阈值电压是否小于或等于目标电平来降低所述选中的存储块中的所述存储器单元的阈值电压，其中，随着擦除循环的次数增加，所述擦除电压被增加，其中，随着擦除循环的次数增加，所述擦除电压之间的电压差被增加。
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