[发明专利]一种半导体深孔刻蚀后的工艺监控方法在审
| 申请号： | 201410345705.7 | 申请日： | 2014-07-18 |
| 公开（公告）号： | CN105304514A | 公开（公告）日： | 2016-02-03 |
| 发明（设计）人： | 杨涛;李亭亭;洪培真;李俊峰;赵超 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 北京汉昊知识产权代理事务所(普通合伙) 11370 | 代理人： | 朱海波 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种半导体深孔刻蚀后的工艺监控方法，包括以下步骤：a.提供具有预定形状和尺寸的测试结构；b.测量所述测试结构的质量，得到容差范围；c.测量待监控晶圆的质量，并与所述容差范围进行比较，若待监控晶圆的质量值在容差范围内，则认为深孔的刻蚀深度已经达到要求；若不在容差范围内，则深孔的刻蚀深度没有达到工艺要求，需要对刻蚀工艺条件进行调整。本发明采用无损伤的高精度质量量测方法，通过测量硅深孔硅刻蚀后的质量，来间接表征硅深孔刻蚀深度是否达到工艺要求。晶圆整片测量，不需要特定测试结构，方便快捷；且反馈结果直观，快速，准确，且对晶圆无损伤。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 刻蚀 工艺 监控 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体深孔刻蚀后的工艺监控方法，包括以下步骤：a.提供具有预定形状和尺寸的测试结构；b.测量所述测试结构的质量，得到容差范围；c.测量待监控晶圆的质量，并与所述容差范围进行比较，若待监控晶圆的质量值在容差范围内，则认为深孔的刻蚀深度已经达到要求；若不在容差范围内，则深孔的刻蚀深度没有达到工艺要求，需要对刻蚀工艺条件进行调整。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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