[发明专利]存储器装置及其编程方法在审
| 申请号： | 201410346191.7 | 申请日： | 2014-07-21 |
| 公开（公告）号： | CN105304134A | 公开（公告）日： | 2016-02-03 |
| 发明（设计）人： | 蔡秉宏;蔡文哲 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/10 | 分类号： | G11C16/10;G11C16/34 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 任岩 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种存储器装置及其编程方法，存储器装置包括相互串接的第一晶体管、存储单元串与第二晶体管。存储单元串包括目标存储单元、与目标存储单元相邻的第一与第二周边存储单元以及与目标存储单元不相邻的多个非目标存储单元。存储器装置的编程方法包括下列步骤：导通第一晶体管并关闭第二晶体管；利用传递电压开启所述多个非目标存储单元，并利用辅助电压开启第一周边存储单元与第二周边存储单元；以及，利用编程电压对目标存储单元进行编程，其中辅助电压大于传递电压，且辅助电压小于编程电压。 | ||
| 搜索关键词： | 存储器 装置 及其 编程 方法 | ||
【主权项】：
一种存储器装置的编程方法，其中该存储器装置包括相互串接的一第一晶体管、一存储单元串与一第二晶体管，该存储单元串包括一目标存储单元、与该目标存储单元相邻的一第一与一第二周边存储单元以及与该目标存储单元不相邻的多个非目标存储单元，且该存储器装置的编程方法包括：导通该第一晶体管并关闭该第二晶体管；利用一传递电压开启这些非目标存储单元，并利用一辅助电压开启该第一周边存储单元与该第二周边存储单元；以及利用一编程电压对该目标存储单元进行编程，其中该辅助电压大于该传递电压，且该辅助电压小于该编程电压。
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