[发明专利]一种低温烧结V系ZnO压敏陶瓷材料及其制备方法无效
| 申请号： | 201410346575.9 | 申请日： | 2014-07-21 |
| 公开（公告）号： | CN104129986A | 公开（公告）日： | 2014-11-05 |
| 发明（设计）人： | 甘国友;王志敏;严继康;杜景红;易健宏 | 申请（专利权）人： | 昆明理工大学 |
| 主分类号： | C04B35/453 | 分类号： | C04B35/453;C04B35/622;C04B35/63 |
| 代理公司： | 无 | 代理人： | 无 |
| 地址： | 650093 云*** | 国省代码： | 云南;53 |
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| 摘要： | 本发明公开一种低温烧结V系ZnO压敏陶瓷材料及其制备方法，属于功能陶瓷制备及应用技术领域；所述低温烧结V系ZnO压敏陶瓷材料以ZnO-V2O5为基体，以Mn、Nb、Gd、Er的氧化物作为改性添加剂；其制备方法依次包括“混料、球磨、烘干、造粒、过筛、模压成型、烧结、制作银电极”工艺步骤；本发明获得的ZnO压敏陶瓷材料的压敏电压V1mA为200~400V/mm，非线性系数α>20，漏电流IL为0.10~0.35mA，所采用的烧结温度为800~950℃，相比Bi系、Pr系ZnO压敏陶瓷材料，本发明提供的V系ZnO压敏材料的烧结温度大大降低，综合性能良好，并且制备工艺简单，安全可靠，有望实现MLV陶瓷层压敏电阻材料与纯银电极的低温共烧。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 低温 烧结 zno 陶瓷材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种低温烧结V系ZnO压敏陶瓷材料，其特征在于：所述低温烧结V系ZnO压敏陶瓷材料以ZnO‑V2O5为基体，以Mn、Nb、Gd、Er的氧化物作为改性添加剂。
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