[发明专利]一种具有电子阻挡层的GaSb基中红外激光器的外延结构

摘要

一种具有电子阻挡层的GaSb基中红外半导体激光器的外延结构,涉及半导体激光器外延技术领域。包括GaSb衬底、缓冲层、n型限制层、n型波导层、有源区、p型波导层、电子阻挡层和p型限制层，其特征在于所述p型波导层和p型限制层之间存在电子阻挡层，所述电子阻挡层导带电势高于p型限制层导带电势。同现有技术相比，本发明能够减少量子阱内的Auger复合，抑制量子阱中导带电子向p型限制层的溢出，有效地提高GaSb基中红外半导体激光器的性能。

主权项

一种具有电子阻挡层的GaSb基中红外激光器的外延结构，包括GaSb衬底(1)、缓冲层(2)、n型限制层(3)、下波导层(4)、有源区(5)、上波导层(6)、电子阻挡层(7)和p型限制层(8)，其特征在于所述p型波导层和p型限制层之间存在电子阻挡层。