[发明专利]用于描述单栅非易失存储单元的理论模型及其建立方法

摘要

本发明公开了一种用于描述单栅非易失存储单元的理论模型,该理论模型如下：其中，Q_{g_C,0}表示控制管的栅极初始电荷，Q_{g_T,0}表示隧穿管的栅极初始电荷，V_gc表示浮栅与控制端子之间的电势差，V_gt表示浮栅与隧穿端子之间的电势差。根据本发明所提出的理论模型，设计者可以精确的得出存储单元的浮栅电势与浮栅电荷以及外部端口电压之间的关系，从而能够正确的评估、优化所设计的单栅非易失存储单元。

主权项

一种用于描述单栅非易失存储单元的理论模型，其特征在于，该理论模型如下：$Q_{\mathrm{fg}}-Q_{g\_T,0}-Q_{g\_C,0}={\∫}_0^{V_{\mathrm{gt}}}{C}_{\mathrm{gg}\_T}{\mathrm{dV}}_{\mathrm{gt}}+{\∫}_0^{V_{\mathrm{gc}}}{C}_{\mathrm{gg}\_C}{\mathrm{dV}}_{\mathrm{gc}}$其中，Q_{g_C，0}表示控制管的栅极初始电荷，Q_{g_T,0}表示隧穿管的栅极初始电荷，V_gc表示浮栅与控制端子之间的电势差，V_gt表示浮栅与隧穿端子之间的电势差。