[发明专利]带有微反射镜的硅基V型槽制备方法在审
申请号: | 201410347308.3 | 申请日: | 2014-07-21 |
公开(公告)号: | CN105278042A | 公开(公告)日: | 2016-01-27 |
发明(设计)人: | 刘鹏程;刘国军;李洪雨;魏志鹏;冯源;郝永芹;安宁;陈芳;何斌太;刘超;王清桃;席文星 | 申请(专利权)人: | 长春理工大学 |
主分类号: | G02B6/36 | 分类号: | G02B6/36;G02B6/43;G03F7/20;C23C14/35 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 130022 吉林*** | 国省代码: | 吉林;22 |
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摘要: | 本发明涉及一种带有微反射镜的硅基V型槽制备方法,该方法包括:模拟:根据硅在KOH刻蚀液中的各向异性特征使用Anisotropic crystalline etching simulation(ACES)软件进行模拟找出了产生V型槽及微反射镜的特定刻蚀晶向;硅刻蚀:根据Si、SiO2在KOH刻蚀液中的选择比及它们的热膨胀系数确定了实用的掩膜,调整KOH、IPA、水的配比及刻蚀反映温度刻蚀出V型槽及45o的微反射镜;镀膜:使用镀膜软件TFC找到经济实用的Si/SiO2系高反膜,利用磁控溅射技术沉积薄膜,减少刻蚀形成的损伤提高微反射镜的反射率。本发明可适用于垂直腔面激光器(VCSEL)与尾纤的耦合,或者其他需要折转光路的耦合情形,有效的提高了激光器与光纤的耦合效率。 | ||
搜索关键词: | 带有 反射 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种带有微反射镜的硅基V型槽制备方法,其特征在于包括以下步骤:1) 用丙酮、乙醇‑超声波对Si片进行标准清洗;2) 将Si片在HF水溶液中浸泡1~2分钟;3) 去离子水冲洗,使用氮气吹干Si片并移入热氧化炉中进行湿氧氧化; 4) 氧化完成后取出Si片放入快速热退火炉中,对Si片进行快速热退火;5) 进行光刻、显影;6) 显影完成的Si片,用氮气吹干后,用HF溶液对SiO2进行腐蚀;7) 使用KOH水溶液对Si进行腐蚀;8) 使用磁控溅射技术对腐蚀完成的V型槽及微反射镜进行镀膜。
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