[发明专利]带有微反射镜的硅基V型槽制备方法在审

专利信息
申请号: 201410347308.3 申请日: 2014-07-21
公开(公告)号: CN105278042A 公开(公告)日: 2016-01-27
发明(设计)人: 刘鹏程;刘国军;李洪雨;魏志鹏;冯源;郝永芹;安宁;陈芳;何斌太;刘超;王清桃;席文星 申请(专利权)人: 长春理工大学
主分类号: G02B6/36 分类号: G02B6/36;G02B6/43;G03F7/20;C23C14/35
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 130022 吉林*** 国省代码: 吉林;22
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明涉及一种带有微反射镜的硅基V型槽制备方法,该方法包括:模拟:根据硅在KOH刻蚀液中的各向异性特征使用Anisotropic crystalline etching simulation(ACES)软件进行模拟找出了产生V型槽及微反射镜的特定刻蚀晶向;硅刻蚀:根据Si、SiO2在KOH刻蚀液中的选择比及它们的热膨胀系数确定了实用的掩膜,调整KOH、IPA、水的配比及刻蚀反映温度刻蚀出V型槽及45o的微反射镜;镀膜:使用镀膜软件TFC找到经济实用的Si/SiO2系高反膜,利用磁控溅射技术沉积薄膜,减少刻蚀形成的损伤提高微反射镜的反射率。本发明可适用于垂直腔面激光器(VCSEL)与尾纤的耦合,或者其他需要折转光路的耦合情形,有效的提高了激光器与光纤的耦合效率。
搜索关键词: 带有 反射 制备 方法
【主权项】:
一种带有微反射镜的硅基V型槽制备方法,其特征在于包括以下步骤:1)      用丙酮、乙醇‑超声波对Si片进行标准清洗;2)      将Si片在HF水溶液中浸泡1~2分钟;3)      去离子水冲洗,使用氮气吹干Si片并移入热氧化炉中进行湿氧氧化; 4)      氧化完成后取出Si片放入快速热退火炉中,对Si片进行快速热退火;5)      进行光刻、显影;6)      显影完成的Si片,用氮气吹干后,用HF溶液对SiO2进行腐蚀;7)      使用KOH水溶液对Si进行腐蚀;8)      使用磁控溅射技术对腐蚀完成的V型槽及微反射镜进行镀膜。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于长春理工大学,未经长春理工大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201410347308.3/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code