[发明专利]半导体装置及其制造方法有效
| 申请号： | 201410347324.2 | 申请日： | 2010-03-12 |
| 公开（公告）号： | CN104124280B | 公开（公告）日： | 2017-10-27 |
| 发明（设计）人： | 大原宏树;佐佐木俊成 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L27/12;H01L21/77 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司72001 | 代理人： | 李啸,汤春龙 |
| 地址： | 日本神奈*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 若不由无机绝缘膜覆盖氧化物半导体层情况下进行加热处理而使氧化物半导体层晶化，则因晶化而形成表面凹凸，可能会产生电特性的不均匀。通过如下顺序进行工序在从刚形成氧化物半导体层之后直到与氧化物半导体层上接触地形成包含氧化硅的无机绝缘膜之前的期间一次也不进行加热处理，在接触于衬底上的氧化物半导体层上地形成第二绝缘膜之后进行加热处理。此外，在包含氧化硅的无机绝缘膜中含有的氢密度为5×1020/cm3以上，或其氮密度为1×1019/cm3以上。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体装置的制造方法，包括步骤：在以第一温度加热衬底时，在所述衬底上形成第一无机绝缘膜；在所述第一无机绝缘膜上形成氧化物半导体层；在以第二温度加热所述衬底时，在所述氧化物半导体层上形成包含氧化硅的第二无机绝缘膜；以及在形成所述第二无机绝缘膜之后以大于或等于300℃进行加热处理，其中，所述第二温度低于或等于300℃，其中，在形成所述氧化物半导体层之后并且在形成所述第二无机绝缘膜之前的时期期间，所述氧化物半导体层没有被以大于或等于300℃加热，其中，通过所述加热处理降低所述第二无机绝缘膜中的氮密度，其中在所述第二无机绝缘膜中的氢密度为大于或等于5×1020/cm3，以及其中在所述第二无机绝缘膜中的所述氮密度为大于或等于1×1019/cm3。
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