[发明专利]硅片扩散处理方法及太阳能电池片的制造方法

摘要

本发明涉及一种生产效率较高且可有效防止粘片现象产生的硅片扩散处理方法以及太阳能电池片的制造方法。该硅片扩散处理方法是在对硅片进行扩散源沉积之前，先通入上述方法在硅片表面热生长一定厚度的氧化层作为隔离层，来实现紧贴做片，在扩散源沉积时不会产生粘片，从而提高了通量，可实现高效率做片。

主权项

一种硅片扩散处理方法，其特征在于，在对所述硅片进行扩散源沉积之前，对所述硅片进行氧化处理，所述氧化处理依次包括如下步骤：保持温度在750℃，通入流量为6L/分钟的纯氮气对所述硅片处理5分钟；在50分钟内，将温度从750℃匀速升温至1100℃，并通入流量为6L/分钟的纯氮气对所述硅片进行处理；保持温度在1100℃，通入流量为6L/分钟的氧气与流量为150cc/分钟的含氯乙酰氯的氮气的混合气体对所述硅片处理15分钟，其中，所述含氯乙酰氯的氮气是以流量为150cc/分钟的氮气对液体氯乙酰氯进行鼓泡后得到的含有氯乙酰氯的氮气；保持温度在1100℃，通入流量为5.2L/分钟的氧气、流量为8L/分钟的氢气以及流量为150cc/分钟的含氯乙酰氯的氮气的混合气体对所述硅片处理3.5～4.5小时，其中，所述含氯乙酰氯的氮气是以流量为150cc/分钟的氮气对液体氯乙酰氯进行鼓泡后得到的含有氯乙酰氯的氮气；保持温度在1100℃，通入流量为6L/分钟的氧气与流量为150cc/分钟的含氯乙酰氯的氮气的混合气体对所述硅片处理20分钟，其中，所述含氯乙酰氯的氮气是以流量为150cc/分钟的氮气对液体氯乙酰氯进行鼓泡后得到的含有氯乙酰氯的氮气；在100分钟内，将温度从1100℃匀速降温到750℃，并通入流量为6L/分钟的纯氮气对所述硅片进行处理。