[发明专利]微机电系统器件有效
| 申请号： | 201410349209.9 | 申请日： | 2014-07-22 |
| 公开（公告）号： | CN104333838B | 公开（公告）日： | 2018-08-14 |
| 发明（设计）人： | A.德赫;M.纳瓦茨 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H04R31/00 | 分类号： | H04R31/00;B81B7/00;B81C1/00 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 张涛;胡莉莉 |
| 地址： | 德国瑙伊比*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 公开了一种微机电系统器件。MEMS器件包括振膜，振膜包括第一多个指状物。对置电极布置包括第二多个指状物，第二多个指状物按照与振膜的第一多个指状物相间错开的关系放置。偏转器被配置为使振膜偏转，使得第一和第二多个指状物在除了指状物的表面的最大重叠之外的位置中位移。 | ||
| 搜索关键词： | 微机 系统 器件 | ||
【主权项】：
1.一种微机电系统器件，包括：振膜，包括具有第一多个指状物的可被释放的部分；对置电极布置，包括第二多个指状物，所述第二多个指状物按照与所述第一多个指状物相间错开的关系放置，其中所述第二多个指状物是相对于具有所述第一多个指状物的所述可被释放的部分可运动的；支撑部，其中所述振膜被通过弹性附接部弹性地附接到所述支撑部，从而所述振膜的所述可被释放的部分是相对所述支撑部可运动的；以及偏转器，被直接或间接地附加到所述振膜并且被配置为使所述振膜偏转，使得所述第一多个指状物和所述第二多个指状物在除了所述指状物的表面的最大重叠之外的静止位置中位移，其中所述偏转器包括结合到所述振膜的表面的应力层，并且其中所述应力层的介电材料和所述振膜的材料被选择以使得所述应力层的介电材料的相比于所述振膜的材料而不同的固有应力引起所述弹性附接部弯曲并且引起所述振膜偏转。
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