[发明专利]半导体封装件及其制造方法在审
| 申请号： | 201410349913.4 | 申请日： | 2014-07-22 |
| 公开（公告）号： | CN104347601A | 公开（公告）日： | 2015-02-11 |
| 发明（设计）人： | 张喆容;金泳龙;A·N·张 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L25/065 | 分类号： | H01L25/065;H01L23/31;H01L23/48;H01L21/98 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 陈源;张帆 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明构思的实施例包括一种具有多个层叠的半导体芯片的半导体封装件。多层衬底包括中心绝缘层、设置在中心绝缘层的上表面上的上布线层和设置在中心绝缘层的下表面上的第一下布线层。利用各种方式将层叠的半导体芯片连接至多层衬底和/或彼此连接。半导体封装件能够像基于倒装芯片接合的半导体封装件那样进行高性能操作，并且还通过克服由于单个半导体芯片导致的限制符合大容量的需要。本发明构思的实施例还包括用于制造该半导体封装件的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 封装 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体封装件，包括：多层衬底，其包括中心绝缘层、设置在所述中心绝缘层的上表面上的上布线层和设置在所述中心绝缘层的下表面上的第一下布线层；第一半导体芯片，其设置在所述上布线层上并经由穿透所述上布线层和所述中心绝缘层的穿透凸块连接至所述第一下布线层的埋置式下焊盘；以及第二半导体芯片，其按照偏移结构层叠在所述第一半导体芯片上，使得所述第二半导体芯片从所述第一半导体芯片水平地突出，所述第二半导体芯片经由上凸块连接至所述上布线层的上焊盘。
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