[发明专利]谐振传感器、其制造方法以及用于谐振传感器的多层结构有效
申请号: | 201410349914.9 | 申请日: | 2014-07-22 |
公开(公告)号: | CN104344917B | 公开(公告)日: | 2017-04-12 |
发明(设计)人: | 吉田隆司;奥田修史;岩井滋人 | 申请(专利权)人: | 横河电机株式会社 |
主分类号: | G01L1/10 | 分类号: | G01L1/10 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司11112 | 代理人: | 陈源,李铭 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明提供了一种谐振传感器、其制造方法以及一种用于谐振传感器的多层结构。该谐振传感器包括单晶硅衬底;单晶硅谐振器,其设置在单晶硅衬底上方;由硅制成的壳体,其带间隙地围绕谐振器,并且与单晶硅衬底一起形成腔室;激励模块,其被配置为激发谐振器;振动检测模块,其被配置为检测谐振器的振动;第一层,其设置在腔室上方,该第一层具有通孔;第二层,其设置在第一层上方;第三层,其覆盖第一层和第二层;以及从第二层朝向谐振器延伸的突起,该突起在空间上与谐振器分离,该突起与第一层隔开第一间隙,第二层与第一层隔开第二间隙,第一间隙与第二间隙连通。 | ||
搜索关键词: | 谐振 传感器 制造 方法 以及 用于 多层 结构 | ||
【主权项】:
一种谐振传感器,包括:单晶硅衬底;单晶硅谐振器,其设置在所述单晶硅衬底的上方;由硅制成的壳体,其带间隙地围绕所述谐振器,并且与所述单晶硅衬底一起形成腔室;激励模块,其被配置为激发所述谐振器;振动检测模块,其被配置为检测所述谐振器的振动;第一层,其设置在所述腔室的上方,所述第一层具有通孔;第二层,其设置在所述第一层的上方;第三层,其覆盖所述第一层和所述第二层;突起,其从所述第二层朝向所述谐振器延伸,所述突起在空间上与所述谐振器分离,所述突起与所述第一层隔开第一间隙,所述第二层与所述第一层隔开第二间隙,所述第一间隙与所述第二间隙连通;以及非空隔离物,其形成所述第二间隙,所述非空隔离物与所述第二层集成为一体。
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