[发明专利]谐振传感器、其制造方法以及用于谐振传感器的多层结构有效

专利信息
申请号: 201410349914.9 申请日: 2014-07-22
公开(公告)号: CN104344917B 公开(公告)日: 2017-04-12
发明(设计)人: 吉田隆司;奥田修史;岩井滋人 申请(专利权)人: 横河电机株式会社
主分类号: G01L1/10 分类号: G01L1/10
代理公司: 北京天昊联合知识产权代理有限公司11112 代理人: 陈源,李铭
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明提供了一种谐振传感器、其制造方法以及一种用于谐振传感器的多层结构。该谐振传感器包括单晶硅衬底;单晶硅谐振器,其设置在单晶硅衬底上方;由硅制成的壳体,其带间隙地围绕谐振器,并且与单晶硅衬底一起形成腔室;激励模块,其被配置为激发谐振器;振动检测模块,其被配置为检测谐振器的振动;第一层,其设置在腔室上方,该第一层具有通孔;第二层,其设置在第一层上方;第三层,其覆盖第一层和第二层;以及从第二层朝向谐振器延伸的突起,该突起在空间上与谐振器分离,该突起与第一层隔开第一间隙,第二层与第一层隔开第二间隙,第一间隙与第二间隙连通。
搜索关键词: 谐振 传感器 制造 方法 以及 用于 多层 结构
【主权项】:
一种谐振传感器,包括:单晶硅衬底;单晶硅谐振器,其设置在所述单晶硅衬底的上方;由硅制成的壳体,其带间隙地围绕所述谐振器,并且与所述单晶硅衬底一起形成腔室;激励模块,其被配置为激发所述谐振器;振动检测模块,其被配置为检测所述谐振器的振动;第一层,其设置在所述腔室的上方,所述第一层具有通孔;第二层,其设置在所述第一层的上方;第三层,其覆盖所述第一层和所述第二层;突起,其从所述第二层朝向所述谐振器延伸,所述突起在空间上与所述谐振器分离,所述突起与所述第一层隔开第一间隙,所述第二层与所述第一层隔开第二间隙,所述第一间隙与所述第二间隙连通;以及非空隔离物,其形成所述第二间隙,所述非空隔离物与所述第二层集成为一体。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于横河电机株式会社,未经横河电机株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201410349914.9/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top