[发明专利]多晶硅引晶装置及其引晶方法无效
| 申请号： | 201410350017.X | 申请日： | 2014-07-22 |
| 公开（公告）号： | CN104152987A | 公开（公告）日： | 2014-11-19 |
| 发明（设计）人： | 周社柱;王锋;侯炜强;张瑾;熊鹰 | 申请（专利权）人： | 山西中电科新能源技术有限公司 |
| 主分类号： | C30B28/06 | 分类号： | C30B28/06;C30B29/06 |
| 代理公司： | 太原华弈知识产权代理事务所 14108 | 代理人： | 李毅 |
| 地址： | 030032 山西*** | 国省代码： | 山西;14 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种多晶硅引晶装置及其引晶方法，解决了现有的多晶硅铸锭炉中的长晶装置及其长晶方法存在的长晶过程中出现较多的位错和硅锭底部容易开裂的问题。包括坩埚（5）、块状原生多晶（3）和碎硅片（2），在坩埚（5）的埚内侧面和埚内埚底面上均匀地设置有氮化硅喷涂层（4），在坩埚（5）的埚内埚底面上设置的氮化硅喷涂层（4）上活动均布有氮化硅球状颗粒（1），在氮化硅球状颗粒（1）上设置有碎硅片层（2），在碎硅片层（2）上设置有块状原生多晶（3）。并公开了该装置的具体长晶工艺步骤。本发明实现了多晶硅的理想的非自发成核，实现了高效多晶硅铸锭的生产。 | ||
| 搜索关键词： | 多晶 硅引晶 装置 及其 方法 | ||
【主权项】：
一种多晶硅引晶装置，包括坩埚（5）、块状原生多晶（3）和碎硅片（2），在坩埚（5）的内表面上均匀地设置有氮化硅喷涂层（4），其特征在于，在坩埚（5）的埚内埚底面上设置的氮化硅喷涂层（4）上活动均布有氮化硅球状颗粒（1），在氮化硅球状颗粒（1）上设置有碎硅片层（2），在碎硅片层（2）上设置有块状原生多晶（3）。
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