[发明专利]衬底处理装置及半导体器件的制造方法

摘要

衬底处理装置及半导体器件的制造方法。在进行各种气体的上方供给和/或上方排气的情况下，能够适当地进行对于衬底的工艺处理。衬底处理装置构成为，具备：衬底载置台，其载置有衬底；处理气体供给部，其从衬底载置台的上方侧向衬底的表面上供给处理气体；惰性气体供给部，其在处理气体供给部的侧方从衬底载置台的上方侧向衬底的表面上供给惰性气体；以及多个气体排气部，其在处理气体供给部与惰性气体供给部之间将供给到衬底的表面上的气体向衬底的上方侧排气。

主权项

1.一种衬底处理装置，其特征在于，具备：衬底载置台，其载置衬底；处理气体供给部，其从所述衬底载置台的上方侧向所述衬底的表面上供给处理气体；惰性气体供给部，其在所述处理气体供给部的两侧方从所述衬底载置台的上方侧向所述衬底的表面上供给惰性气体；第1气体排气部，其在所述处理气体供给部与所述惰性气体供给部之间且在所述处理气体供给部的两侧方将供给到所述衬底的表面上的所述处理气体经由处理气体排气孔向所述衬底的上方侧排气；第2气体排气部，其在所述第1气体排气部与所述惰性气体供给部之间将供给到所述衬底的表面上的所述惰性气体经由惰性气体排气孔向所述衬底的上方侧排气，通过构成为使所述惰性气体排气孔具有比所述处理气体排气孔的孔径更大的孔径、或使所述惰性气体排气孔具有与所述处理气体排气孔的孔内壁面的表面状态不同的表面状态的孔内壁面，所述第2气体排气部相对于所述第1气体排气部具有高的排气流导；与所述第1气体排气部连接且控制所述处理气体的排气的第1压力控制器；以及与所述第2气体排气部连接且控制所述惰性气体的排气的第2压力控制器。