[发明专利]切割带集成晶片背面保护膜有效
| 申请号： | 201410351062.7 | 申请日： | 2010-01-29 |
| 公开（公告）号： | CN104103565B | 公开（公告）日： | 2017-04-12 |
| 发明（设计）人： | 高本尚英;松村健 | 申请（专利权）人： | 日东电工株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/68 | 分类号： | H01L21/68;H01L21/78;C09J7/02 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙)11277 | 代理人： | 刘新宇,李茂家 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供切割带集成晶片背面保护膜，其包括切割带，所述切割带包括基材和在所述基材上形成的压敏粘合剂层；和晶片背面保护膜，所述晶片背面保护膜形成于所述切割带的压敏粘合剂层上，其中所述晶片背面保护膜是有色的。优选所述有色晶片背面保护膜具有激光标识性能。所述切割带集成晶片背面保护膜可适用于倒装芯片安装的半导体器件。 | ||
| 搜索关键词： | 切割 集成 晶片 背面 保护膜 | ||
【主权项】：
一种切割带集成晶片背面保护膜，其包括：切割带，所述切割带包括基材和在所述基材上形成的压敏粘合剂层；和晶片背面保护膜，所述晶片背面保护膜形成于所述切割带的压敏粘合剂层上，其中所述晶片背面保护膜是有色的，所述晶片背面保护膜在温度85℃和湿度85％RH的气氛下静置168小时时的吸湿度为1重量％以下。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于日东电工株式会社，未经日东电工株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201410351062.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
