[发明专利]编程多个存储单元及存储器的方法及该存储器有效
申请号: | 201410351459.6 | 申请日: | 2014-07-23 |
公开(公告)号: | CN104916323B | 公开(公告)日: | 2019-03-15 |
发明(设计)人: | 林明昭;陈汉松 | 申请(专利权)人: | 旺宏电子股份有限公司 |
主分类号: | G11C16/10 | 分类号: | G11C16/10;G11C16/34 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 任岩 |
地址: | 中国台湾新竹*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 本发明公开了一种编程多个存储单元及存储器的方法及该存储器。此方法包括选择当前存储单元,并在第一编程验证电平执行预编程验证操作;此方法包括针对当前存储单元执行编程及编程验证操作,包括施加一串行编程脉冲,并执行编程验证步骤;此串行编程脉冲包括具有起始大小的起始脉冲,编程验证操作使用第二编程验证电平,其可以高于第一编程验证电平;此方法亦包括在当前存储单元在第二编程验证电平通过验证的情况下,决定下一存储单元的起始大小,以作为编程脉冲的大小的函数。 | ||
搜索关键词: | 编程 存储 单元 存储器 方法 | ||
【主权项】:
1.一种编程多个存储单元的方法,包括:选择一当前存储单元;针对该当前存储单元,以第一编程验证电平执行预编程验证操作;针对该当前存储单元执行编程及编程验证操作,包括施加一串行编程脉冲,该串行编程脉冲包括具有一起始大小的一起始脉冲,该编程及编程验证操作包括使用第二编程验证电平执行编程验证步骤;在该当前存储单元以该第二编程验证电平通过验证的情况下,决定下一存储单元的该起始大小,以作为该串行编程脉冲的大小的一函数;在所述当前存储单元以该第二编程验证电平通过验证的情况之后,针对该当前存储单元使用第三编程验证电平,其中该第三编程验证电平低于该第二编程验证电平,且该第三编程验证电平等于该第一编程验证电平;以及重复执行所述选择一当前存储单元的步骤、所述执行预编程验证操作的步骤、所述针对该当前存储单元执行编程及编程验证操作、以及所述决定这些存储单元的下一存储单元的该起始大小。
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