[发明专利]编程多个存储单元及存储器的方法及该存储器有效

专利信息
申请号: 201410351459.6 申请日: 2014-07-23
公开(公告)号: CN104916323B 公开(公告)日: 2019-03-15
发明(设计)人: 林明昭;陈汉松 申请(专利权)人: 旺宏电子股份有限公司
主分类号: G11C16/10 分类号: G11C16/10;G11C16/34
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 任岩
地址: 中国台湾新竹*** 国省代码: 中国台湾;71
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明公开了一种编程多个存储单元及存储器的方法及该存储器。此方法包括选择当前存储单元,并在第一编程验证电平执行预编程验证操作;此方法包括针对当前存储单元执行编程及编程验证操作,包括施加一串行编程脉冲,并执行编程验证步骤;此串行编程脉冲包括具有起始大小的起始脉冲,编程验证操作使用第二编程验证电平,其可以高于第一编程验证电平;此方法亦包括在当前存储单元在第二编程验证电平通过验证的情况下,决定下一存储单元的起始大小,以作为编程脉冲的大小的函数。
搜索关键词: 编程 存储 单元 存储器 方法
【主权项】:
1.一种编程多个存储单元的方法,包括:选择一当前存储单元;针对该当前存储单元,以第一编程验证电平执行预编程验证操作;针对该当前存储单元执行编程及编程验证操作,包括施加一串行编程脉冲,该串行编程脉冲包括具有一起始大小的一起始脉冲,该编程及编程验证操作包括使用第二编程验证电平执行编程验证步骤;在该当前存储单元以该第二编程验证电平通过验证的情况下,决定下一存储单元的该起始大小,以作为该串行编程脉冲的大小的一函数;在所述当前存储单元以该第二编程验证电平通过验证的情况之后,针对该当前存储单元使用第三编程验证电平,其中该第三编程验证电平低于该第二编程验证电平,且该第三编程验证电平等于该第一编程验证电平;以及重复执行所述选择一当前存储单元的步骤、所述执行预编程验证操作的步骤、所述针对该当前存储单元执行编程及编程验证操作、以及所述决定这些存储单元的下一存储单元的该起始大小。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于旺宏电子股份有限公司,未经旺宏电子股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201410351459.6/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top