[发明专利]一种瞬态抑制二极管芯片及其制造方法

摘要

本发明公开了一种瞬态抑制二极管芯片，包含：P型衬底硅片；设置在P型衬底上侧的N^-型反型层；设置在N^-型反型层上侧的N⁺型浅结区；设置在N⁺型浅结区四周的N型深环区，所述N型深环区的顶部与所述N⁺型浅结区的顶部齐平；氧化层，所述氧化层设置在N^-型反型层上方并覆盖部分N型深环区；设置在N⁺型浅结区上侧的第一金属化电极，其宽度范围延伸至氧化层；设置在P型衬底下侧的P⁺补硼区；设置在P⁺补硼区下侧的第二金属化电极；其中，所述N^-型反型层是通过在P型衬底硅片上高温长时间氧化制得。本发明还公开了一种瞬态抑制二极管芯片的制造方法。本发明实现器件的穿通击穿，达到器件在低击穿电压下低漏电的目的。

主权项

一种单向瞬态抑制二极管芯片，其特征在于，包含：P型衬底硅片；设置在P型衬底硅片上侧的N^‑型反型层设置在N^‑型反型层上侧的N⁺型浅结区；设置在N⁺型浅结区四周的N型深环区，所述N型深环区的顶部与所述N⁺型浅结区的顶部齐平；氧化层，所述氧化层设置在N^‑型反型层上方并覆盖部分N型深环区；设置在N⁺型浅结区上侧的第一金属化电极，其宽度范围延伸至氧化层；设置在P型衬底硅片下侧的P⁺补硼区；设置在P⁺补硼区下侧的第二金属化电极；其中，所述N^‑型反型层是通过在P型衬底硅片上高温长时间氧化制得。