[发明专利]成像装置、电子设备以及制造成像装置的方法有效

专利信息
申请号: 201410354004.X 申请日: 2014-07-23
公开(公告)号: CN104347658B 公开(公告)日: 2019-09-13
发明(设计)人: 池田晴美;山本敦彦;蛯子芳树;柳田刚志 申请(专利权)人: 索尼公司
主分类号: H01L27/146 分类号: H01L27/146;H04N5/374;H04N5/378
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 11105 代理人: 焦玉恒
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 成像装置包括:光电二极管,构造为执行光电转换并且根据光接收量产生电荷;浮置扩散部,构造为累积光电二极管中产生的电荷;读取电路,构造为输出像素信号,该像素信号具有根据浮置扩散部中累积电荷水平的电压,该读取电路包括一个或多个晶体管,其中每个晶体管的栅极电连接至用于选择像素的配线;以及绝缘部,延伸至浮置扩散部的部分或整个底面中、一个或多个晶体管中源漏区域的部分或整个底面中或者同时延伸至这两者中。光电二极管、浮置扩散部、读取电路以及绝缘部设置在半导体层中。
搜索关键词: 成像 装置 电子设备 以及 制造 方法
【主权项】:
1.一种成像装置,包括:光电二极管,构造为执行光电转换,并且根据光接收量产生电荷;浮置扩散部,构造为累积该光电二极管中产生的该电荷;读取电路,构造为输出像素信号,该像素信号具有根据该浮置扩散部中累积的该电荷的水平的电压,该读取电路包括一个或多个晶体管,该晶体管的每一个的栅极电连接至用于选择像素的配线;以及绝缘部,延伸至该浮置扩散部的部分或整个底面中以及该一个或多个晶体管中的源漏区域的部分或整个底面中,该光电二极管、该浮置扩散部、该读取电路以及该绝缘部设置在半导体层中。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于索尼公司,未经索尼公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201410354004.X/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top