[发明专利]成像装置、电子设备以及制造成像装置的方法有效
申请号: | 201410354004.X | 申请日: | 2014-07-23 |
公开(公告)号: | CN104347658B | 公开(公告)日: | 2019-09-13 |
发明(设计)人: | 池田晴美;山本敦彦;蛯子芳树;柳田刚志 | 申请(专利权)人: | 索尼公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H04N5/374;H04N5/378 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 焦玉恒 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 成像装置包括:光电二极管,构造为执行光电转换并且根据光接收量产生电荷;浮置扩散部,构造为累积光电二极管中产生的电荷;读取电路,构造为输出像素信号,该像素信号具有根据浮置扩散部中累积电荷水平的电压,该读取电路包括一个或多个晶体管,其中每个晶体管的栅极电连接至用于选择像素的配线;以及绝缘部,延伸至浮置扩散部的部分或整个底面中、一个或多个晶体管中源漏区域的部分或整个底面中或者同时延伸至这两者中。光电二极管、浮置扩散部、读取电路以及绝缘部设置在半导体层中。 | ||
搜索关键词: | 成像 装置 电子设备 以及 制造 方法 | ||
【主权项】:
1.一种成像装置,包括:光电二极管,构造为执行光电转换,并且根据光接收量产生电荷;浮置扩散部,构造为累积该光电二极管中产生的该电荷;读取电路,构造为输出像素信号,该像素信号具有根据该浮置扩散部中累积的该电荷的水平的电压,该读取电路包括一个或多个晶体管,该晶体管的每一个的栅极电连接至用于选择像素的配线;以及绝缘部,延伸至该浮置扩散部的部分或整个底面中以及该一个或多个晶体管中的源漏区域的部分或整个底面中,该光电二极管、该浮置扩散部、该读取电路以及该绝缘部设置在半导体层中。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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