[发明专利]一种制备透明导电膜的方法在审
| 申请号： | 201410354711.9 | 申请日： | 2014-07-23 |
| 公开（公告）号： | CN104164654A | 公开（公告）日： | 2014-11-26 |
| 发明（设计）人： | 谢鹏;王江波;林凡;谭劲松 | 申请（专利权）人： | 华灿光电股份有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;C23C14/58;C23C14/08 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 徐立 |
| 地址： | 430223 湖北省*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种制备透明导电膜的方法，属于光电材料制备技术领域。该方法包括：提供一基底，对基底进行超声清洗并冲洗干净，对冲洗干净的基底进行甩干、烘干；将烘干后的基底放入磁控溅射腔，对磁控溅射腔的腔体进行抽真空；在腔体中通入高纯Ar、O2和辅助反应气体，保持溅射腔体的腔体压强为0.3Pa～1Pa；辅助反应气体为H2或富氢化合物的一种；对靶材进行溅射，在基底上形成透明导电膜；对带有透明导电膜的基底进行退火处理，进行退火处理的温度为150～200℃。通过在溅射沉积过程中增加了H2等富含氢元素的气体，在低温条件下退火较短时间就可以获得低电阻率、高透过率的透明导电膜，大大降低了退火温度及生产成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 制备 透明 导电 方法 | ||
【主权项】：
一种制备透明导电膜的方法，其特征在于，所述方法包括：提供一基底，对所述基底进行超声清洗并冲洗干净，对冲洗干净的所述基底进行甩干、烘干；将烘干后的所述基底放入磁控溅射腔，对所述磁控溅射腔的腔体进行抽真空；在所述腔体中通入高纯Ar、O2和辅助反应气体，保持所述溅射腔体的腔体压强为0.3Pa～1Pa；所述辅助反应气体为H2或富氢化合物的一种；对靶材进行溅射，在所述基底上形成透明导电膜；对带有所述透明导电膜的所述基底进行退火处理，所述进行退火处理的温度为150～200℃。
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