[发明专利]太阳能电池的制造方法在审

专利信息
申请号: 201410354854.X 申请日: 2014-07-24
公开(公告)号: CN104518053A 公开(公告)日: 2015-04-15
发明(设计)人: 陈庆丰;陈敬尧 申请(专利权)人: 陈庆丰;陈敬尧
主分类号: H01L31/18 分类号: H01L31/18
代理公司: 广州市红荔专利代理有限公司 44214 代理人: 王贤义
地址: 中国台湾基隆市*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要: 发明公开并提供了一种可有效的避免膜层损伤、制作出的电池质量佳且制作工艺方便简单的太阳能电池的制造方法,所述方法包括以下步骤:于一基板上依序沉积第一电极、光电转换单元及第二电极,所述光电转换层包括数个间隔的光电转换单元,所述等光电转换单元之间藉由所述第一电极与所述第二电极而形成互相串联的结构。本发明的主要改良在于,沉积所述第一电极、所述光电转换层及所述第二电极时,皆分别通过真空镀膜方式配合屏蔽而使用,因此在沉积所述等膜层时,即可一并形成膜层上所须的沟槽,以完成各光电转换单元之间的断路线路与导线连接。本发明上述方法不使用雷射切割与机械切割,使制作出的电池质量良好,而且制作工艺方便简单。
搜索关键词: 太阳能电池 制造 方法
【主权项】:
一种太阳能电池的制造方法,其特征在于:它包括以下步骤:a. 将第一屏蔽设置于基板上,所述第一屏蔽包括数个间隔的第一遮蔽区以及数个分别位于所述第一遮蔽区之间的第一镂空区;b. 利用真空镀膜方式并配合所述第一屏蔽于所述基板上形成第一电极, 所述第一电极包括数个间隔且分别通过所述第一镂空区而披覆于所述基板表面的第一导电区以及数个分别位于所述第一导电区之间的第一分隔沟;c. 将屏蔽设置于所述第一电极上,利用真空镀膜方式并配合所述屏蔽,于所述第一电极上形成一光电转换层,所述光电转换层包括数个间隔的光电转换单元以及数个分别位于所述光电转换单元之间的间隔沟,所述间隔沟的位置与所述第一分隔沟的位置错开;d. 将第二屏蔽设置于所述光电转换层上, 所述第二屏蔽包括数个间隔的第二遮蔽区以及数个分别位于所述第二遮蔽区之间的第二镂空区;e. 利用真空镀膜方式并配合所述第二屏蔽于所述光电转换层上形成第二电极,所述第二电极包括数个间隔且分别通过所述第二镂空区而披覆于所述光电转换单元表面的第二导电区、数个分别位于所述第二导电区之间的第二分隔沟以及数个分别自所述第二导电区通过所述光电转换单元而连接所述第一电极的连接导线。
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