[发明专利]使用聚合物共混物的定向自组装形成具有亚光刻间距的特征的方法

摘要

本发明提供了使用聚合物共混物的定向自组装形成具有亚光刻间距的特征的用于制造半导体器件的方法，其包括：根据光刻工艺在布置在衬底上的光致抗蚀剂层中形成第一特征的第一图案，光刻工艺具有最小可印制尺寸和最小可印制间距；在具有形成于其中的第一图案的光致抗蚀剂层上涂覆附加层；在附加层中形成第二特征的第二图案，第二特征与第一特征同心；以及蚀刻衬底的通过第二图案而暴露的部分。此外，在所提供的方法中，第一特征包括被小于最小可印制特征的尺寸的距离所分隔的几何特征，并且几何特征以小于最小可印制间距的间距布置。

主权项

1.一种半导体器件的制造方法，所述制造方法包括：根据光刻工艺，在布置在衬底上的光致抗蚀剂层中形成第一特征的第一图案，所述光刻工艺具有最小可印制尺寸和最小可印制间距；在具有形成于其中的所述第一图案的所述光致抗蚀剂层上涂覆附加层；在所述附加层中形成第二特征的第二图案，所述第二特征与所述第一特征同心；以及蚀刻所述衬底的通过所述第二图案而暴露的部分，所述第一特征均包括被小于所述最小可印制尺寸的距离所分隔的几何特征，并且所述几何特征以小于所述最小可印制间距的间距布置，并且所述几何特征具有大于具有所述最小可印制尺寸作为直径的圆的面积的面积。