[发明专利]图像拾取元件、其制造设备及制造方法以及成像设备有效
申请号: | 201410356266.X | 申请日: | 2014-07-24 |
公开(公告)号: | CN104347659B | 公开(公告)日: | 2019-07-26 |
发明(设计)人: | 中食慎太郎;狭山征博;东宫祥哲;堂福忠幸;神胁丰美 | 申请(专利权)人: | 索尼公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H01L21/77 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 焦玉恒 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明涉及一种图像拾取元件、其制造设备及制造方法以及成像设备。所提供的图像拾取元件包括:聚光透镜,由包含微金属粒子的树脂制造;光电转换元件,形成在硅基板中且每一个构造为光电转换入射光,该入射光从外面通过聚光透镜中对应的一个进入;以及保护膜,由硅化合物制造,保护膜形成在聚光透镜和硅基板之间。 | ||
搜索关键词: | 图像 拾取 元件 制造 设备 方法 以及 成像 | ||
【主权项】:
1.一种图像拾取元件,包括:聚光透镜,由包含微金属粒子的树脂制造;光电转换元件,形成在硅基板中且每一个构造为对入射光进行光电转换,该入射光从外面通过该聚光透镜中对应的一个进入;光学滤光片,该光学滤光片中的每一个形成在该聚光透镜中对应的一个和该硅基板之间且每一个构造为限制要通过其透射的入射光的波长带;平坦化膜,形成在该聚光透镜和该硅基板之间;保护膜,由硅化合物制造,该保护膜形成在该聚光透镜和该光学滤光片之间;遮光膜沿着该平坦化膜和该硅基板之间的像素边缘部分形成,并且构造为抑制该入射光进入相邻像素。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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