[发明专利]一种改善GaN基LED效率下降的外延结构在审
| 申请号： | 201410356966.9 | 申请日： | 2014-07-24 |
| 公开（公告）号： | CN104134732A | 公开（公告）日： | 2014-11-05 |
| 发明（设计）人： | 琚晶;马后永;李起鸣;徐慧文;孙传平 | 申请（专利权）人： | 映瑞光电科技（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/26 | 分类号： | H01L33/26;H01L33/06 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 201306 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提出了一种改善LED效率下降的外延结构，包括衬底和依次堆叠在衬底上的GaN底层、超晶格应力释放层、多量子阱层、P型InGaN插入层、P型电子阻挡层以及P型GaN层。在多量子阱层最后一个势垒和P型电子阻挡层之间插入一层P型InGaN插入层，P型InGaN插入层的In组分从靠近多量子阱层到电子阻挡层由小到大渐变，且采用脉冲式的镁掺杂。本发明一方面可以减少电子向P端的泄露，另一方面可以增强空穴向有源区的注入。本发明可以改善GaN基LED效率下降的问题，提高大电流条件下的发光效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 改善 gan led 效率 下降 外延 结构 | ||
【主权项】：
一种改善GaN基LED效率下降的外延结构，所述结构包括衬底和依次堆叠在衬底上的GaN底层、超晶格应力释放层、多量子阱层、P型InGaN插入层、P型电子阻挡层以及P型GaN层。
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