[发明专利]负偏压温度不稳定性评估方法有效
| 申请号： | 201410357130.0 | 申请日： | 2014-07-25 |
| 公开（公告）号： | CN104091770B | 公开（公告）日： | 2017-06-23 |
| 发明（设计）人： | 罗飞 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙)31275 | 代理人： | 吴世华,林彦之 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种负偏压温度不稳定性评估方法。由于对CMOS器件中不同层间介质层薄膜下的均匀性进行实时电性测量得到实时电性参数，所述层间介质层位于CMOS器件各端口与金属连接层之间；根据测量得到的实时电性参数与基准工艺条件的电性参数对CMOS器件的负偏压温度不稳定性进行评估。由此可见，在形成完整的晶圆流片之前就可以对CMOS器件的负偏压温度不稳定性进行评估，因此缩短了工艺和产品的开发周期，降低了产品的开发成本。 | ||
| 搜索关键词： | 温度 不稳定性 评估 方法 | ||
【主权项】：
一种负偏压温度不稳定性评估方法，其特征在于，对于CMOS器件，包括：对CMOS器件中不同层间介质层薄膜下的均匀性进行实时电性测量得到实时电性参数，所述层间介质层位于CMOS器件各端口与金属连接层之间；根据测量得到的实时电性参数与基准工艺条件的电性参数对CMOS器件的负偏压温度不稳定性进行评估，其中，在层间介质层的总厚度不变的前提下，对不同层间介质层薄膜下的均匀性进行电性测量得到电性参数进行统计分析得出相对于基准工艺条件的变化趋势。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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