[发明专利]一种改善通孔刻蚀后晶圆表面微环境的方法有效
申请号: | 201410357201.7 | 申请日: | 2014-07-25 |
公开(公告)号: | CN104091758B | 公开(公告)日: | 2017-03-15 |
发明(设计)人: | 范荣伟;陈宏璘;龙吟;倪棋梁;刘睿 | 申请(专利权)人: | 上海华力微电子有限公司 |
主分类号: | H01L21/02 | 分类号: | H01L21/02 |
代理公司: | 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙)31275 | 代理人: | 吴世华,林彦之 |
地址: | 201210 上海市浦*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明公开了一种改善通孔刻蚀后晶圆表面微环境的方法,在对晶圆进行通孔刻蚀后、清洗步骤之前,通过先向放入净化设备并处于旋转状态的晶圆的上表面喷射一定时间的较高温度的净化气体并形成旋流状态,使晶圆粘附的刻蚀副产物在净化气体的携带下从晶圆分离抽出,然后,再继续向晶圆的上表面短时喷射温热态氧化还原性气体,与晶圆上残留的刻蚀副产物进行反应并将其分解抽出,使晶圆得到净化,从而消除了刻蚀副产物在晶圆清洗之前的等待过程中与水反应产生凝结物缺陷的可能,使晶圆表面的微环境得以改善,为产品良率的提升提供了保障。 | ||
搜索关键词: | 一种 改善 刻蚀 后晶圆 表面 环境 方法 | ||
【主权项】:
一种改善通孔刻蚀后晶圆表面微环境的方法,其特征在于,所述方法在对所述晶圆进行通孔刻蚀后的清洗步骤之前实施,包括以下步骤:步骤一:提供经通孔刻蚀后的所述晶圆,将所述晶圆放入净化设备,并使所述晶圆处于旋转状态;步骤二:向所述晶圆的上表面喷射一定时间的氮气、氩气、氦气或其混合气体作为净化气体,利用所述晶圆的旋转作用,使所述净化气体在所述晶圆表面形成旋流状态,同时,设定所述净化气体与所述晶圆之间的喷射距离、喷射角度及喷射流量,对所述晶圆的上表面施以一定的气流冲击作用,使所述晶圆粘附的刻蚀副产物松动,并通过所述晶圆旋转产生的离心力,使所述刻蚀副产物在所述净化气体的携带下从所述晶圆分离;在此过程中,将所述净化设备内的所述净化气体及其携带的自所述晶圆分离的所述刻蚀副产物抽出,从而使所述晶圆得到净化;步骤三:继续向所述晶圆的上表面喷射一定时间的氧化还原性气体作为反应气体,使所述氧化还原性气体与所述晶圆上残留的所述刻蚀副产物进行反应并分解所述刻蚀副产物;在此过程中,将所述净化设备内的所述氧化还原性气体及其携带的反应产物抽出,以消除所述刻蚀副产物在所述晶圆清洗之前的等待过程中与水反应产生凝结物缺陷的可能,使所述晶圆表面的微环境得以改善。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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