[发明专利]一种改善通孔刻蚀后晶圆表面微环境的方法有效

专利信息
申请号: 201410357201.7 申请日: 2014-07-25
公开(公告)号: CN104091758B 公开(公告)日: 2017-03-15
发明(设计)人: 范荣伟;陈宏璘;龙吟;倪棋梁;刘睿 申请(专利权)人: 上海华力微电子有限公司
主分类号: H01L21/02 分类号: H01L21/02
代理公司: 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙)31275 代理人: 吴世华,林彦之
地址: 201210 上海市浦*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明公开了一种改善通孔刻蚀后晶圆表面微环境的方法,在对晶圆进行通孔刻蚀后、清洗步骤之前,通过先向放入净化设备并处于旋转状态的晶圆的上表面喷射一定时间的较高温度的净化气体并形成旋流状态,使晶圆粘附的刻蚀副产物在净化气体的携带下从晶圆分离抽出,然后,再继续向晶圆的上表面短时喷射温热态氧化还原性气体,与晶圆上残留的刻蚀副产物进行反应并将其分解抽出,使晶圆得到净化,从而消除了刻蚀副产物在晶圆清洗之前的等待过程中与水反应产生凝结物缺陷的可能,使晶圆表面的微环境得以改善,为产品良率的提升提供了保障。
搜索关键词: 一种 改善 刻蚀 后晶圆 表面 环境 方法
【主权项】:
一种改善通孔刻蚀后晶圆表面微环境的方法,其特征在于,所述方法在对所述晶圆进行通孔刻蚀后的清洗步骤之前实施,包括以下步骤:步骤一:提供经通孔刻蚀后的所述晶圆,将所述晶圆放入净化设备,并使所述晶圆处于旋转状态;步骤二:向所述晶圆的上表面喷射一定时间的氮气、氩气、氦气或其混合气体作为净化气体,利用所述晶圆的旋转作用,使所述净化气体在所述晶圆表面形成旋流状态,同时,设定所述净化气体与所述晶圆之间的喷射距离、喷射角度及喷射流量,对所述晶圆的上表面施以一定的气流冲击作用,使所述晶圆粘附的刻蚀副产物松动,并通过所述晶圆旋转产生的离心力,使所述刻蚀副产物在所述净化气体的携带下从所述晶圆分离;在此过程中,将所述净化设备内的所述净化气体及其携带的自所述晶圆分离的所述刻蚀副产物抽出,从而使所述晶圆得到净化;步骤三:继续向所述晶圆的上表面喷射一定时间的氧化还原性气体作为反应气体,使所述氧化还原性气体与所述晶圆上残留的所述刻蚀副产物进行反应并分解所述刻蚀副产物;在此过程中,将所述净化设备内的所述氧化还原性气体及其携带的反应产物抽出,以消除所述刻蚀副产物在所述晶圆清洗之前的等待过程中与水反应产生凝结物缺陷的可能,使所述晶圆表面的微环境得以改善。
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