[发明专利]CMOS中P型源漏离子注入对准度的监控结构及方法

摘要

本发明提供了CMOS中P型源漏离子注入对准度的监控结构及方法，该监控结构包括光阻区和P型源漏离子注入区，P型源漏离子注入区由P型阱‑P型源漏极结构构成，包括P型阱、P型源漏极、栅极、介质层以及对应于P型源漏极的接触孔；光阻区由P型阱‑N型源漏极结构构成包括P型阱、N型源漏极、栅极、介质层，以及对应于N型源漏极的接触孔；对P型源漏离子注入区和光阻区分别注入P型源漏极离子和N型源漏极离子；经正电势电子束扫描得到电压衬度影像中，根据发生变化的接触孔即可监控光阻区的对准度，从而实现对CMOS中P型源漏离子注入对准度的实时监控，避免P型源漏离子注入到NMOS的P型阱中而导致NMOS漏电现象的发生。

主权项

一种CMOS中P型源漏离子注入对准度的监控结构，其特征在于，所述监控结构位于半导体衬底的非功能区域中，其包括P型源漏离子注入区和光阻区，所述光阻区为进行N型源漏离子注入的区域；其中，所述P型源漏离子注入区由P型阱‑P型源漏极结构构成，所述P型源漏离子注入区包括：在非功能区中设置的P型阱，在P型阱中设置的P型源漏极，位于所述P型源漏极之间的栅极，位于所述非功能区表面的介质层，以及位于介质层中且对应于所述P型源漏极的接触孔；所述光阻区由P型阱‑N型源漏极结构构成，所述光阻区包括：在非功能区中设置的P型阱，在P型阱中设置的N型源漏极，位于所述N型源漏极之间的栅极，位于非功能区表面的介质层，以及位于介质层中且对应于所述N型源漏极的接触孔；在正电势电子束扫描模式下得到的电压衬度影像图中，所述P型阱‑P型源漏极结构对应的接触孔为亮孔，所述P型阱‑N型源漏极结构对应的接触孔为暗孔。