[发明专利]半导体器件、半导体晶片结构和形成半导体晶片结构的方法

摘要

公开了半导体器件、半导体晶片结构和用于形成半导体晶片结构的方法。实施例涉及半导体器件、半导体晶片结构和用于制造或形成半导体晶片结构的方法。半导体器件包括具有第一区和第二区的半导体衬底，第一区具有第一导电性类型，并且第二区具有第二导电性类型。半导体器件还包括氧化物结构和金属层结构，氧化物结构具有中断区域，并且金属层结构至少在氧化物的中断区域处与第二区接触。

主权项

一种半导体器件，包括：具有第一区和第二区的半导体衬底，所述第一区具有第一导电性类型，并且所述第二区具有第二导电性类型，所述第二区包括所述第二导电性类型的一个或更多个区段；具有中断区域的氧化物结构；以及至少在氧化物的中断区域处与所述第二区接触的金属层结构，其中，所述氧化物结构向所述第二区上的突起确定所述第二区的所述一个或更多个区段中的至少一个区段中的至少两个中断区域，所述至少两个中断区域被所述氧化物结构的部分所分离，并且其中，所述氧化物结构直接位于所述金属层结构和所述半导体器件的所述第二区之间，或者，所述金属层结构直接位于所述氧化物结构和所述半导体器件的所述第二区之间。